Design Rule Checking (DRC) — это автоматизированный процесс проверки, который используется в проектировании полупроводников и ВЛСИ-систем для обеспечения соответствия дизайна заранее установленным правилам и стандартам. Эти правила касаются физических параметров, таких как ширина линий, расстояние между элементами, и другие характеристики, которые критически важны для того, чтобы гарантировать работоспособность и надежность интегральных схем. DRC обычно выполняется с использованием специализированного программного обеспечения, которое анализирует проектные файлы и выявляет нарушения.
Процесс DRC возник в 1980-х годах вместе с развитием CAD (Computer-Aided Design) инструментов для проектирования интегральных схем. Ранее проектирование выполнялось вручную, что было трудоемким и подверженным ошибкам. Введение DRC значительно ускорило этот процесс и повысило его надежность.
С течением времени DRC-программы эволюционировали, чтобы учитывать новые технологии, такие как FinFET и 3D IC, которые требуют более сложных правил. Современные инструменты DRC также интегрируются с другими этапами проектирования, такими как Layout versus Schematic (LVS) проверка и Electrical Rule Checking (ERC).
CAD-системы играют ключевую роль в DRC. Они обеспечивают графический интерфейс для проектирования и позволяют интегрировать DRC как часть рабочего процесса. Используемые инструменты, такие как Cadence, Mentor Graphics и Synopsys, предоставляют мощные функции для DRC, включая визуализацию и автоматизированное исправление ошибок.
Некоторые важные параметры, которые проверяются в DRC, включают:
С увеличением сложности проектирования и уменьшением размеров технологий наблюдается рост интереса к DRC с точки зрения оптимизации. Новые методы, такие как машинное обучение и AI, начинают использоваться для автоматизации процесса проверки и предсказания потенциальных ошибок. Также активно разрабатываются правила для новых материалов, таких как графен и углеродные нанотрубки, что открывает новые горизонты для DRC.
DRC находит применение в различных областях, включая:
Текущие исследования в области DRC сосредоточены на:
Эта статья предоставляет обширный обзор технологий DRC, их исторического контекста и значимости в современном проектировании полупроводниковых устройств.