VLSI Korea
Engineering
ما هو CFET (الترانزستور ذو التأثير الميداني المتكامل)؟ ترانزستور ما بعد GAA ومحور عصر 1nm
إذا كانت صفائح GAA النانوية تدعم 2nm، فإن CFET مرشح لدعم العقد التالية A14 وA10 و1nm عبر تكديس NMOS وPMOS عموديًا لخفض ارتفاع الخلية إلى 4T أو أقل. نستعرض تحديات monolithic وsequential الحرارية ونقاط التلامس وEDA، ومواقع imec وIntel وTSMC وSamsung، ونقاط المتابعة من منظور كوري.
