한국 반도체 용어 사전 — VLSI Korea Glossary
한국 반도체 엔지니어가 자주 마주치는 핵심 용어 사전. 메모리·공정·패키징·인터커넥트·아키텍처·산업 카테고리별 한 줄 정의 + 깊이 있는 explainer 링크.
VLSI Korea Glossary — 한국 반도체 엔지니어가 자주 마주치는 용어 사전. 각 항목은 한 줄 정의 + (있을 경우) 자세한 explainer 글로 deep-link. 각 항목 옆 ↻ 마크는 마지막 사실 검토 월 (매월 1회 자동 검토 → Chase 검수 사이클). 마지막 페이지 갱신 2026-07-01, 항목 20개.
카테고리
메모리
3D NAND ↻ 2026-07셀을 수직 적층해 비트당 비용을 낮춘 NAND 플래시. 200단 이상이 현재 양산 주류.DDR5 ↻ 2026-07데스크톱·서버용 차세대 메인 메모리 표준. 채널 분할과 on-die ECC 도입으로 신뢰성 강화.HBM (High Bandwidth Memory) ↻ 2026-07스택형 DRAM 패키지로 GPU/AI 가속기 옆에 적층돼 초고대역폭을 제공. SK hynix·Samsung·Micron 3사가 사실상 독점.HBM4 ↻ 2026-07차세대 HBM 표준. 2K I/O 와 베이스 다이의 로직 통합으로 대역폭과 효율 동시 개선. 2026년부터 본격 ramp.LPDDR5X ↻ 2026-07모바일·온디바이스 AI 를 위한 저전력 고속 DRAM. 스마트폰 NPU 및 ARM 노트북 메인 메모리.
공정·트랜지스터·노광
BSPDN (Backside Power Delivery Network) ↻ 2026-07트랜지스터 후면에 전력망을 깔아 IR drop 을 줄이는 차세대 배선. 2nm 세대부터 본격.EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) ↻ 2026-0713.5nm 파장 노광. 7nm 이하 노드의 핵심 장비. ASML 단독 공급.FinFET ↻ 2026-07게이트가 채널을 3면에서 감싸는 3D 트랜지스터 구조. 16/14nm 부터 3nm 까지 주력.GAA (Gate-All-Around) ↻ 2026-07FinFET 후속 트랜지스터. 채널 전체를 게이트가 감싸 leakage 와 채널 제어 향상. Samsung 3nm·TSMC 2nm 도입.High-NA EUV ↻ 2026-07NA 0.55 차세대 노광. 2nm 이하 단일 패터닝의 열쇠. ASML EXE 시리즈, Intel 18A 가 첫 양산 적용.노드 네이밍 (Node Naming (5nm/3nm/2nm)) ↻ 2026-075nm/3nm/2nm 같은 마케팅 명칭은 실제 트랜지스터 피치와 분리됨. 회사·세대 비교 시 주의.
후공정·패키징
Advanced Packaging ↻ 2026-07여러 다이를 패키지에서 결합·적층해 시스템 성능을 끌어올리는 후공정 혁신 총칭. CoWoS·HBM·Chiplet 의 토대.Chiplet ↻ 2026-07단일 SoC 를 여러 다이로 쪼개 패키지에서 다시 결합하는 설계. 비용·수율·전력 trade-off 의 새 균형.CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate) ↻ 2026-07TSMC 의 2.5D 첨단 패키징. 인터포저 위에 GPU+HBM 를 함께 올림. AI 가속기 capacity 의 병목.Hybrid Bonding ↻ 2026-07범프 없이 Cu-Cu 직접 접합으로 칩을 적층. HBM4 와 차세대 3D 스택의 핵심.TSV (Through-Silicon Via) ↻ 2026-07실리콘을 수직 관통하는 비아. HBM 같은 3D 스택의 핏줄.
인터커넥트·배선
UCIe (Universal Chiplet Interconnect Express) ↻ 2026-07칩렛 시대의 표준 인터커넥트 규격. 다이 간 PHY·프로토콜 표준화로 멀티벤더 chiplet 가능.
아키텍처·회로
ASIC vs GPU ↻ 2026-07AI 가속기 두 갈래. GPU 는 범용 + 생태계, ASIC 은 전용 + 효율. 경제학·소프트웨어 lock-in 이 결정.
산업 구조
Foundry vs IDM ↻ 2026-07파운드리는 fabless 의 위탁 생산만, IDM 은 설계+제조 통합. TSMC·Samsung Foundry vs Intel·Samsung·SK hynix.무어의 법칙 (Moore's Law) ↻ 2026-072년마다 트랜지스터 2배. 단순 scaling 은 한계, 패키징·아키텍처·재료로 'effective' Moore 가 이어짐.
제보·정정
새 용어 제안, 정의 정정, 자세한 글 요청은 [email protected]. 정의는 한국 반도체 엔지니어 시점에서 한 줄로 적습니다 — 더 깊은 설명은 deep-link 글에서.
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