EDA
TL;DR * Logical Equivalence Check는 A 설계와 A' 설계의 기능 차이를 비교하는 것이다. * ASIC Design flow 사이에 수십번의 단계가 있다. * LEC는 ASIC 설계 flow에서 여러번 수행된다: * (1) RTL vs Synthesized netlist * (2) RTL vs DFT-inserted netlist * (3) Synthesis vs P&R netlist * (4) 각 ECO 단계 적용 후
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HBM4 로드맵 발표가 이어지지만 2024-2026년 AI 데이터센터에 실제 설치된 메모리는 HBM3E다. 8단에서 12단으로, 819GB/s에서 1.15TB/s로 진화한 이 기술의 실체와, SK Hynix가 이 경쟁에서 구조적으로 앞서 있는 이유를 해부한다.
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저항 변화 메모리(ReRAM)는 산화물 박막 내 나노 필라멘트의 형성·용해로 데이터를 저장한다. 플래시보다 빠르고 공정 친화적이며, 크로스바 어레이로 신경모방 컴퓨팅까지 넘본다. 자동차 전장과 엣지 AI로 임베디드 NVM 수요가 폭증하는 지금, ReRAM이 왜 다시 중심에 서는지 해부한다.
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AI 서버 PSU와 EV 충전기의 효율 압박이 GaN-on-Si를 Si MOSFET 대안으로 부상시키고 있다. 2DEG 채널 이동도와 높은 임계 전계는 명백한 물성 우위지만, normally-off 구현과 current collapse라는 공정 난제가 양산 수율을 제약한다. 기술 원리부터 공급사별 전략, 한국 기업 포지셔닝까지 한 번에 짚는다.
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High-NA EUV가 도입되어도 Metal/Via 레이어에서는 SAQP가 여전히 핵심 패터닝 기술로 남습니다. 피치 18~28nm 구간을 책임지는 이 공정의 원리, 난제, 그리고 TSMC·삼성·인텔의 현주소를 공정·설계·EDA 엔지니어 모두를 위해 낱낱이 해부합니다.
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양산 출하를 시작한 Canon FPA-1200NZ2C와 Kioxia 3D NAND 적용 발표. EUV 비용 곡선 밖에서 single exposure 14nm half-pitch를 달성하는 nanoimprint lithography의 동작 원리부터 defect·throughput·template·overlay라는 네 가지 양산 장벽, 그리고 한국 메모리 업체에 미치는 의미까지 정리한다.
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on-device LLM 추론이 표준이 되면서 NPU 활용률을 좌우하는 것은 결국 메모리 대역폭이다. LPDDR6는 24-bit sub-channel과 핀당 14.4Gbps로 LPDDR5X의 한계를 다음 단계로 밀어내는 JEDEC 표준이다. Samsung·SK Hynix·Micron이 모두 양산을 준비 중이고, LPCAMM2를 통해 PC 시장까지 확대된다. 표준 구조, 양산 난이도, Korea 시각, 향후 12개월 milestone을 정리한다.
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CPU 코어 수는 빠르게 늘지만 DDR5 채널당 대역폭은 그보다 느리게 성장한다. MRDIMM은 RCD와 데이터 버퍼(DB)에 mux 회로를 더해 두 rank를 host 입장에서 하나의 더 빠른 sub-channel로 묶는 JEDEC 표준이다. Intel Granite Rapids가 첫 적극 채택 플랫폼이고, 한국 메모리 3사 모두 양산 라인업에 올리고 있다. 이 글은 MRDIMM의 동작 원리, DB IC의 mux 회로 난점, latency·열·가격의 trade-off, 그리고 한국 메모리 산업이 mix 측면에서 얻는 것이 무엇인지
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HBM의 정중앙을 수직으로 관통하는 수천 개의 구리 기둥, TSV는 12단·16단 적층이 표준이 된 지금 HBM이라는 부품이 존재할 수 있는 물리적 조건입니다. hybrid bonding이 TSV를 대체한다는 표현이 자주 등장하지만, 두 기술은 같은 stack 위에서 공존합니다. 이 글은 TSV의 공정 원리, KOZ·yield 트레이드오프, 그리고 한국 메모리 산업의 구조적 우위를 분석합니다.
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High-NA EUV 시대의 첫 병목은 장비가 아니라 photoresist다. Stochastic defect를 풀기 위해 도입되는 Metal Oxide Resist(MOR) — Inpria의 organotin cluster를 중심으로 한 차세대 EUV 레지스트의 동작 원리, RLS triangle, 양산 트레이드오프, 그리고 한국 소부장의 진입 가능성을 정리한다.
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Row Hammer는 2014년 학계에 처음 공개된 후 10년 넘게 DRAM 미세화의 그림자를 따라다녀 왔다. DDR5 세대에서 JEDEC이 PRAC을 spec으로 끌어들이면서 다시 메인스트림 이슈로 부상했고, AI 서버처럼 메모리 utilization이 극단으로 올라가는 환경에서 셀 한 row에 가해지는 activation 스트레스를 어떻게 row 단위로 카운트하고 막을 것인가가 1c/1d 노드 양산 안전성을 좌우한다.
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AI 서버 한 노드의 IO 병목을 다시 두 배로 풀어주는 카드가 PCIe 6.0이다. 처음으로 NRZ에서 PAM-4로 modulation을 바꾸고, 가변 TLP 대신 256B FLIT을 도입하며, FEC까지 얹는다. CXL 3.0이 그대로 위에 올라가기 때문에 메모리 풀링의 실용화는 PCIe 6.0의 보급 속도와 정확히 묶여있다. 한국 SSD·메모리 회사가 어디서 영향을 받고, retimer 같은 신호 인프라는 왜 비어있는지 본다.