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200층 시대를 넘어 300·400층으로 향하는 3D NAND, 그 핵심에는 채널홀 식각의 종횡비 한계를 deck 분할로 우회하는 string stacking 기술이 있다. Samsung·SK hynix·Kioxia·YMTC가 어떤 구조로 layer 경쟁을 이어가고 있는지, 그리고 한국 진영의 강점과 약점을 정리한다.
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22nm 이하에서 TSMC가 eFlash 로드맵을 사실상 정리한 이후, 임베디드 비휘발성 메모리의 자리는 eMRAM이 빠르게 채워가고 있다. 자동차 MCU와 IoT SoC가 온칩 코드 저장을 요구하면서 MTJ·STT 스위칭 기술의 산업적 의미가 다시 부각되는 시점이다. TSMC·Samsung·GF·Everspin의 양산 현황과 SOT-MRAM, 자동차 Grade-0 인증 흐름까지 정리한다.
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CMP는 1980년대부터 모든 반도체 공정의 뒤에서 wafer를 평탄화해온 backbone 공정이다. 그런데 하이브리드 본딩이 본딩면 sub-nm 평탄도를 요구하고, 3D NAND가 400층을 향해 가고, GAA·BSPDN이 새로운 CMP step을 만들어내면서 CMP는 다시 가장 어려운 step으로 떠올랐다. 슬러리·패드·장비·공정 노하우가 결합된 시스템 문제로서 CMP를 분석합니다.
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AI는 이미 전세계 모든 교과서를 다 집어삼켰다. Claude는 모든 전공의 교과서를 다 메모리에 넣은 만물박사에 가깝다. 오픈소스 코드도 다 봤다. AI가 신입보다 잘하는 영역이 점점 늘고 있다. 그런데 시장은 왜 SaaS (SAP, Adobe) 주가는 후려치고 NVIDIA·TSMC·Synopsys 주가는 안 후려치는가? NVIDIA 같은 설계 회사도 GDS라는 Code를 만드는 회사이고, Synopsys도
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Intel Foundry 부활 시나리오와 SK hynix의 EMIB 테스트 보도가 겹치며, 그동안 TSMC CoWoS-S에 사실상 의존해 온 AI 가속기·HBM 패키징 생태계가 두 번째 옵션을 진지하게 검토하기 시작했다. EMIB는 풀 실리콘 인터포저 대신 작은 실리콘 브리지를 substrate 내부에 매립하는 방식으로, 비용·면적·확장성에서 다른 trade-off 곡선을 그린다.
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크롬북은 끝났다. 구글북이 온다. 2026년 5월 12일, 구글은 The Android Show에서 Googlebook을 공개했다. 크롬북(Chromebook)의 후속이 아니라, 완전히 새로운 카테고리다. 15년간 이어진 ChromeOS 시대를 접고, Android + ChromeOS를 합친 새 플랫폼 위에 Gemini AI를 심장으로 박아넣었다. 반도체 엔지니어 관점에서 이게 왜 중요한지, 칩셋 구조가 어떻게 바뀌는지 정리한다. 구글북 vs 크롬북:
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GAA 나노시트의 work-function metal, 3D NAND 300단 word line, HBM TSV 배리어, EUV 패터닝 spacer — advanced node의 모든 critical 박막은 ALD/ALE를 거친다. 0.5-1.5Å/cycle의 self-limiting 적층과 1Å 미만의 atomic-layer 식각이 왜 backbone이 되었는지, throughput·선택성·전구체 화학의 trade-off, 그리고 메모리 고객이 국내에 있는 한국 공급망의 강·약점을 정리했다.
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EUV 노광에서 마스크가 받는 광량과 입자 환경 속에서, 펠리클은 단 수십 nm 박막으로 입자는 막고 13.5nm 광은 통과시켜야 한다. 단일 패스 투과율 90%·왕복 81%·열 부하·기계적 강도 — 이 모순 요구가 어떻게 풀려 왔는지, 그리고 High-NA EUV 진입과 함께 왜 다시 한 번 펠리클이 산업적 화두가 됐는지를 ASML·미쓰이·S&S Tech·삼성·TSMC의 행보를 통해 본 EUV 펠리클 현주소.
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AI 시대 메모리는 HBM 만이 아니다. 컨슈머 GPU·AI 인퍼런스·오토모티브 — HBM 의 가격과 패키지 복잡도를 감당할 수 없는 시장이 GDDR7 로 빠르게 갈아탄다. PAM-3 시그널링으로 핀당 32-36 Gbps 를 달성하는 GDDR7 의 구조와 trade-off, 삼성·SK하이닉스·마이크론 3사 구도, 그리고 한국 메모리 산업에 미치는 영향을 정리한다.
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AI 가속기 패키지가 reticle 4~5배 면적까지 커지면서 300mm 웨이퍼는 더 이상 효율적인 캔버스가 아니다. 사각 패널에 KGD를 재배치하고 RDL을 그리는 FOPLP가 그래서 다시 떠오른다. 단, 패널 휨·RDL 정밀도·장비 생태계라는 세 벽을 넘어야 한다.
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엔비디아 B200·GB200, 그리고 다음 세대 가속기는 모두 한 가지에 묶여 있다 — CoWoS-L 이라는 TSMC 의 하이브리드 인터포저. RDL 위에 LSI 실리콘 브릿지를 박아 5~6 레티클 면적의 패키지를 yield 있게 만드는 이 기술이 왜 AI 인프라의 진짜 병목인지, 누가 따라잡을 수 있는지, 한국은 어디에 서 있는지를 정리한다.
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DRAM이 평면 미세화의 한계에 도달하면서 셀 트랜지스터를 수직으로 세우고 셀 어레이를 적층하는 3D DRAM이 다음 노드의 핵심으로 떠오른다. 4F² VCAT, 페리 분리 하이브리드 본딩, 셀 어레이 적층까지 단계별 로드맵과 한국 메모리에 미치는 구조적 영향을 정리한다.