마이크론, 20년 연구를 접고 3D DRAM으로 간다 (vHBM·400단 NAND)

마이크론은 약 20년간 시험해 온 4F-square 셀 구조를 포기하고, 향후 자본을 3D DRAM·wafer bonding·400단 이상 NAND로 돌리는 로드맵을 제시했다 — 아래 내용은 모두 2026년 10월 22일 보도된 마이크론의 로드맵 발언이며, 출하된 제품이 아니다.

30초 요약

• 마이크론은 약 2십 년간 테스트해 온 4F-square cell architecture를 중단하고, 미래 자본을 3D DRAM으로 전환한다고 밝혔다 (마이크론 로드맵 발언, 2026년 10월 22일 보도).
• DRAM 로드맵은 1-delta(7세대 10nm급, 수율 생산 중, density +25%)에서 시작해 wafer bonding을 도입하는 1-epsilon, High-NA EUV를 쓰는 첫 sub-10nm 노드인 zeta angstrom(초기 개발), 실험 소재를 쓰는 eta angstrom으로 이어진다.
• HBM에서는 수직 구조인 vHBM(vertical HBM)이 제시됐고, HBM4는 마이크론의 power·performance 목표에 더 진보한 CMOS가 필요 없었지만 HBM4E는 필요해진다.
• NAND G11은 2027년 하반기 램프, 400단 이상, wafer-on-wafer bonding, G9 대비 bit density 2배 이상, I/O 속도 1.5배를 목표로 한다. AI용 NAND는 high-IOPS SLC small-block 설계와, TSV로 적층한 NAND에 logic die를 compute 가까이 두는 high-bandwidth NAND 두 갈래다.

Background

메모리 미세화의 오래된 전제는 평면 구조를 더 작게 만드는 것이었다. 셀을 더 촘촘히 배치하고, 노광을 더 정밀하게 하면 같은 wafer에서 더 많은 bit를 얻을 수 있다는 논리다. 마이크론이 약 20년간 시험해 온 4F-square는 그 평면적 접근의 연장선에 있는 셀 구조였다. 셀 면적을 이론적 하한에 가깝게 줄이려는 시도였지만, 오랜 테스트 끝에도 양산 경로로 이어지지 않았다.

2026년 10월 22일 보도된 로드맵 발언에서 마이크론이 한 일은 그 전제를 바꾸는 것이다. 평면에서 더 짜내는 대신, 구조를 위로 쌓고, wafer를 붙이고, logic을 3차원으로 재배열하는 방향으로 자본의 방향 자체를 돌렸다. 이 전환은 DRAM에만 국한되지 않는다. 같은 로드맵에는 HBM의 수직 구조화, 서버용 RDIMM의 용량 확대, 그리고 400단을 넘는 NAND와 AI 전용 NAND 설계까지 함께 들어 있다. 즉 하나의 공정 결단이 아니라, 메모리 전 제품군에 걸친 구조 전환 선언에 가깝다.

여기서 중요한 전제가 하나 있다. 이 글에서 다루는 내용은 전부 로드맵 발언이다. 1-delta처럼 수율 생산 단계에 들어간 항목도 있지만, zeta angstrom은 초기 개발 단계이고, eta angstrom은 그다음 단계이며, G11의 램프는 2027년 하반기로 제시됐다. 로드맵은 방향과 순서에 대한 회사의 공식 발언으로는 의미가 크지만, 양산·출하·매출을 보장하지는 않는다. 평가는 그 간격을 유지한 채 이뤄져야 한다.

Business Deep Dive

DRAM 노드 로드맵 — 평면에서 3D로

로드맵의 첫 단추는 이미 생산에 들어간 1-delta다. 7세대 10nm급 노드로 수율 생산(yield production) 단계에 있고, density가 25% 높아졌다. 로드맵 전체가 먼 미래의 구상으로만 이뤄진 것이 아니라, 현재 생산 중인 노드에서 출발한다는 점이 발언의 무게를 만든다.

다음 1-epsilon에서는 wafer bonding이 들어간다. 두 wafer를 접합하는 기술은 그동안 주로 이미지센서나 NAND, 첨단 패키징에서 쓰이던 접근인데, DRAM 로드맵의 본류에 명시적으로 편입됐다는 것이 변화다. 그다음 zeta angstrom은 마이크론의 첫 sub-10nm 노드로 초기 개발 단계에 있으며 High-NA EUV를 사용한다. eta angstrom은 그 이후 단계로, 실험 소재를 쓰는 노드로 제시됐다. 이름이 angstrom 단위로 넘어갔다는 것 자체가, 10nm급 표기 체계 이후를 회사가 어떻게 구상하는지를 보여 준다.

구조 차원의 변화도 함께 제시됐다. DRAM의 CMOS logic이 3D 배열로 이동한다는 것이다. 셀만 쌓는 것이 아니라, 셀을 구동하는 logic 자체를 3차원으로 재배열하면 배선 길이와 면적, 전력 경로를 다르게 설계할 수 있다. 여기에 4F-square 포기가 겹친다. 평면 셀 축소의 상징적인 경로를 접고, bonding과 3D logic으로 무게중심을 옮기는 그림이다.

HBM — vHBM과 HBM4E의 CMOS 조건

HBM 쪽의 핵심 단어는 vHBM, 즉 vertical HBM architecture다. HBM은 원래 DRAM die를 TSV로 쌓는 수직 구조이지만, 마이크론은 이를 한 단계 더 구조화한 수직 아키텍처를 로드맵에 올렸다. 구체적인 적층 방식이나 수치는 이번 발언에서 제시되지 않았으므로, 여기서 확인할 수 있는 것은 방향, 즉 HBM의 다음 진화가 대역폭 숫자 경쟁만이 아니라 구조 경쟁이 된다는 점까지다.

CMOS에 대한 발언은 세대별로 갈렸다. HBM4는 마이크론의 power와 performance 목표를 달성하는 데 더 진보한 CMOS가 필요하지 않았지만, HBM4E는 필요해진다. 이 한 문장이 중요한 이유는, HBM의 병목이 DRAM 셀만이 아니라 base die를 포함한 logic CMOS로 이동하고 있음을 회사가 직접 인정했기 때문이다. 3D DRAM과 DRAM CMOS logic의 3D화가 같은 로드맵에 함께 있는 이유도 여기에 있다. HBM4E 세대로 갈수록 메모리 기업의 경쟁력은 셀 미세화만이 아니라 logic 설계와 접합 기술의 합으로 평가된다.

서버·모바일 메모리 — LPDDR6, DDR6, 1TB RDIMM

제품군별 수치도 함께 제시됐다. LPDDR6는 LPDDR5보다 전력이 35% 더 나아지고, DDR6는 DDR5의 2배 대역폭을 목표로 한다. 서버 쪽에서는 최근 512GB DDR5 RDIMM을 샘플링한 데 이어 1TB RDIMM이 계획돼 있다. AI 서버 한 대에 들어가는 메모리 용량과 대역폭이 계속 커지는 환경에서, RDIMM 용량의 두 배 확대는 시스템 설계자가 랙 단위로 확보할 수 있는 메모리 풀 자체를 바꾼다. 다만 이 수치들 역시 로드맵 목표이며, 샘플링은 양산과 다르고, 계획은 출하와 다르다는 구분은 그대로 유지해야 한다.

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NAND G11 — 400단을 넘는 램프 계획

NAND에서는 G11이 중심이다. 램프 시점은 2027년 하반기, 적층은 400단 이상, 접합은 wafer-on-wafer bonding을 쓴다. 성능 목표는 G9 대비 bit density 2배 이상, I/O 속도 1.5배, 그리고 전송 에너지 절감이다. NAND의 단수 경쟁이 그동안 적층 높이 자체에 집중됐다면, G11 발언은 wafer-on-wafer 접합을 전제로 density를 두 배로 끌어올리는 방식을 명시했다는 점에서 결이 다르다. 셀 wafer와 주변 회로 wafer를 따로 만들어 붙이면, 각 wafer를 자기 공정에 맞게 최적화할 수 있기 때문이다.

AI용 NAND — 속도형과 대역폭형, 두 갈래

AI 데이터센터가 NAND에 요구하는 것도 달라지고 있다. 마이크론이 제시한 AI급 NAND는 두 갈래다. 첫째는 high-IOPS를 노린 SLC small-block 설계다. 용량보다 초당 입출력 횟수와 응답 속도를 우선하는, 캐시·메타데이터·고빈도 접근 계층을 겨냥한 접근이다. 둘째는 high-bandwidth NAND로, TSV로 적층한 NAND die와 logic die를 compute 가까이에 배치하는 설계다. NAND를 값싼 대용량 저장소가 아니라, compute 옆에 붙는 또 하나의 메모리 계층으로 재정의하려는 시도다. 두 갈래 모두 아직 로드맵 단계의 설계 방향이지만, AI 인프라에서 스토리지와 메모리의 경계가 흐려지고 있다는 신호로는 분명하다.

Chase's Take

이번 로드맵에서 가장 무거운 결정은 신제품이 아니라 포기다. 약 20년간 이어 온 연구 경로를 접는 것은 기술 판단인 동시에 자본 배분 결정이다. 연구 조직이 오래 붙잡은 경로일수록 중단 결정은 늦어지기 쉽다. 이미 투입한 비용이 크고, 성공했을 때의 그림이 분명할수록 더 그렇다. 마이크론은 그 매몰 비용을 인정하고, 한정된 자본을 bonding과 3D 구조로 돌리겠다고 공개적으로 말했다. 경영 관점에서는 신기술 발표보다 이 포기가 더 많은 정보를 담고 있다. 회사가 다음 10년의 원가 구조를 어디서 만들 것인지에 대한 답이기 때문이다.

비용 구조의 이동도 핵심이다. bonding과 3D가 중심이 되면, 경쟁의 축은 노광 미세화의 속도에서 접합 수율, 적층 정렬, logic 통합 능력으로 넓어진다. 장비 발주의 구성도 달라진다. High-NA EUV 같은 최첨단 노광 장비의 중요성은 zeta 단계에서 오히려 커지지만, 그와 동시에 bonding 장비와 계측, 검사에 대한 투자가 DRAM 본류 공정으로 들어온다. 장비 기업 입장에서는 메모리 기업의 로드맵 변경이 곧 수주 품목의 변경을 뜻한다.

또 하나의 경영 질문은 범위다. 마이크론은 DRAM, HBM, NAND를 동시에, 그것도 구조 전환 수준으로 밀고 있다. 범위가 넓으면 AI 인프라 전체를 한 번에 상대할 수 있지만, 자본과 조직의 집중도는 분산된다. 반대로 좁게 집중하면 한 영역의 완성도는 높아지지만 시장이 다른 방향으로 움직일 때의 완충이 사라진다. 이번 로드맵은 전자, 즉 넓은 범위를 유지한 채 각 영역의 구조를 바꾸는 선택이다. 이 선택의 성패는 발표가 아니라 1-epsilon의 bonding 수율, HBM4E의 CMOS 확보, G11의 2027년 하반기 램프가 실제로 지켜지는지에서 갈린다.

한국 기업과의 관계에서는, 경쟁의 문법이 바뀌는 지점을 봐야 한다. 셀 미세화 경쟁에서 접합·3D 경쟁으로 무대가 넓어지면, 한국 메모리 기업들이 쌓아 온 미세화 우위만으로는 설명되지 않는 영역이 커진다. 반대로 말하면, bonding과 logic 통합에서 먼저 수율을 잡는 기업이 다음 세대의 원가와 성능을 함께 가져간다. 마이크론의 포기는 미국 기업의 결단으로만 읽을 일이 아니라, 메모리 경쟁 전체의 평가 기준이 이동하고 있다는 신호로 읽어야 한다.

Implications

• 자본 배분의 선례를 보라. 20년 연구 경로의 중단은 다른 메모리 기업들에게도 같은 질문을 던진다. 오래된 경로를 유지하는 비용과 접는 비용 중 무엇이 큰지를, 각 회사의 로드맵이 앞으로 드러낼 것이다.
• 장비 발주의 구성이 바뀐다. DRAM 로드맵에 wafer bonding이 편입되고 NAND G11이 wafer-on-wafer를 전제하면, bonding·계측·검사 장비의 메모리향 발주 비중이 구조적으로 커진다. High-NA EUV 수요는 zeta 단계와 맞물려 있다.
• HBM 경쟁은 logic 경쟁으로 확장된다. HBM4E부터 더 진보한 CMOS가 필요하다는 발언은, base die와 logic 설계 역량이 HBM 세대가 갈수록 더 큰 변수가 된다는 뜻이다. vHBM 같은 구조 제안도 같은 맥락이다.
• 로드맵과 출하를 구분하라. 1-delta는 수율 생산 중이지만 zeta는 초기 개발, G11 램프는 2027년 하반기 계획이다. 투자와 조달 판단에서는 각 항목의 단계를 분리해서 읽어야 하며, 이 로드맵만으로 특정 시점의 공급량을 추정해서는 안 된다.
• AI 스토리지의 계층이 늘어난다. high-IOPS SLC 설계와 compute 인근 high-bandwidth NAND가 실현되면, AI 서버의 메모리·스토리지 계층은 HBM, DRAM, NAND의 3단 구조보다 더 촘촘하게 나뉜다. 시스템 설계와 소프트웨어 최적화의 기준도 함께 바뀐다.

FAQ

Q1. 마이크론이 포기한 4F-square는 무엇이며, 무엇으로 대체되는가? 4F-square는 마이크론이 약 20년간 테스트해 온 평면형 DRAM 셀 구조다. 2026년 10월 22일 보도된 로드맵 발언에서 마이크론은 이 경로를 중단하고 향후 자본을 3D DRAM으로 전환한다고 밝혔다. 대체 축은 wafer bonding을 도입하는 1-epsilon, DRAM CMOS logic의 3D 배열, 그리고 수직 구조의 vHBM이다.

Q2. DRAM 노드 로드맵은 1-delta부터 eta angstrom까지 어떻게 이어지는가? 1-delta는 7세대 10nm급 노드로 수율 생산 중이며 density가 25% 높아졌다. 1-epsilon은 wafer bonding을 도입한다. zeta angstrom은 High-NA EUV를 쓰는 첫 sub-10nm 노드로 초기 개발 단계이고, eta angstrom은 그다음 단계로 실험 소재를 적용한다. 단계가 뒤로 갈수록 개발 초기 상태이며, 출하가 확정된 일정은 아니다.

Q3. vHBM은 무엇이고, HBM4와 HBM4E의 CMOS 조건은 어떻게 다른가? vHBM은 vertical HBM architecture, 즉 HBM의 수직 구조를 한 단계 더 발전시킨 아키텍처로 제시됐다. CMOS 조건에 대해 마이크론은 HBM4는 자사의 power·performance 목표에 더 진보한 CMOS가 필요 없었지만 HBM4E는 필요해진다고 밝혔다. 세대 목표 수치는 이번 발언 범위를 넘으므로 단정하지 않는다.

Q4. NAND G11과 AI용 NAND 계획은 무엇인가? G11은 2027년 하반기 램프, 400단 이상, wafer-on-wafer bonding을 전제로 G9 대비 bit density 2배 이상, I/O 속도 1.5배, 전송 에너지 절감을 목표로 한다. AI용 NAND는 high-IOPS SLC small-block 설계와, TSV로 적층한 NAND die에 logic die를 compute 가까이 두는 high-bandwidth NAND 두 갈래로 제시됐다. 모두 로드맵 발언이며 출하 제품은 아니다.

출처

• Micron Technology, 로드맵 발언 보도, 2026년 10월 22일 — 4F-square 중단과 3D DRAM 전환, 1-delta·1-epsilon·zeta·eta angstrom 노드, vHBM, HBM4E CMOS 조건, LPDDR6·DDR6·RDIMM 계획, NAND G11 및 AI용 NAND 방향

본 글은 정보 제공을 목적으로 하며 특정 종목의 매수·매도를 권유하지 않는다. 본문에 기재된 로드맵 항목은 마이크론의 발언을 보도한 내용으로, 양산·출하 일정이 확정된 제품 정보가 아니다.

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