V-NAND 400 lớp và SSD 256TB: Kinh tế lưu trữ trong cuộc phản công NAND của Samsung

Tóm tắt 30 giây

• Kết luận: Ngày 15/10/2026, tại GMIF2026 ở Thâm Quyến, Samsung đã giới thiệu V-NAND hơn 400 lớp đầu tiên trong ngành (V10) và SSD doanh nghiệp 256TB nhỏ nhất thế giới (BM1773). NAND đang được định nghĩa lại: từ "lưu trữ giá rẻ" thành "lớp mở rộng bộ nhớ GPU", và tầng lưu trữ đang nổi lên như bể lợi nhuận thứ hai của hạ tầng AI. (Nguồn: Samsung PRNewswire, 15-10-2026)
• Con số chính: V10 cho mật độ bit cao hơn 58%, tốc độ I/O nhanh hơn 33% và tiêu thụ điện thấp hơn 25% so với V9. BM1773 trải dài 16TB–256TB trên QLC V9. PM1763 là SSD hiệu năng cao PCIe Gen6, bắt đầu lấy mẫu trong quý IV/2026.
• Vì sao quan trọng: Khi AI chuyển từ huấn luyện sang suy luận và các workload agentic, KV cache đang vượt quá bộ nhớ GPU. Offload sang SSD thay vì chồng thêm HBM giờ đã là một kiến trúc — và đó là phép tính chi phí, không phải câu chuyện.
• Góc nhìn đầu tư: hãy xem lợi ích từ chi phí mỗi GB NAND giảm sẽ rơi vào đâu — chúng đang dịch chuyển từ nhà sản xuất SSD sang nhà vận hành trung tâm dữ liệu. SSD doanh nghiệp đã chiếm 48% tổng số bit NAND xuất xưởng trong quý II/2026 và dự kiến vượt 50% vào cuối năm.

Bối cảnh: Ba quân bài Samsung tung ra tại GMIF2026

Ngày 15/10/2026, Hội nghị Thượng đỉnh Đổi mới GMIF (Global Memory Innovation Forum) lần thứ 5 diễn ra tại Thâm Quyến, Trung Quốc. Do Hiệp hội Công nghiệp Bộ nhớ Thâm Quyến và Trường Mạch tích hợp Đại học Bắc Kinh đồng tổ chức, sự kiện thu hút hơn 3.000 chuyên gia. Chủ đề năm nay: "Tương lai được xây dựng trên bộ nhớ và lưu trữ AI". (Nguồn)

Diễn giả chính là Kevin Yoon, CVP & CTO của Samsung Memory China, với bài phát biểu "Cuộc cách mạng bộ nhớ: Xây dựng nền tảng cho AI agentic". Samsung đã tung ra ba quân bài trong ngày hôm đó.

Thứ nhất, V-NAND hơn 400 lớp đầu tiên trong ngành: V10 BV-NAND. Thứ hai, dòng SSD máy chủ hai hướng: SSD doanh nghiệp 256TB BM1773 và SSD PCIe Gen6 PM1763. Thứ ba, zNAND-O, kiến trúc NAND thế hệ mới cho AI trên thiết bị. Samsung cũng nhận giải Outstanding AI Memory and Storage Industry Leadership Award tại hội nghị.

Luận điểm cốt lõi của Yoon gói gọn trong một câu: "Khi KV cache vượt quá bộ nhớ GPU, một tầng lưu trữ dùng chung độc lập trở thành điều tất yếu".

Khi mô hình AI chuyển từ sinh nội dung sang agentic, nhiều agent phối hợp xử lý các tác vụ phức tạp, tạo ra và tái sử dụng khối lượng token khổng lồ. Dung lượng và nhu cầu tái sử dụng KV cache bùng nổ — và KV cache không còn vừa trong bộ nhớ GPU. Đó chính là bối cảnh kinh doanh của thông báo này.

Phân tích chuyên sâu

1. Kinh tế học của bonding 400 lớp — mật độ bit +58% nghĩa là chi phí mỗi GB thấp hơn

Cấu trúc chi phí của ngành NAND rất đơn giản: mọi thứ quy về số bit trích xuất được từ một wafer. Càng nhiều lớp, càng nhiều bit trên cùng diện tích wafer, nghĩa là chi phí mỗi GB càng thấp.

Quỹ đạo các thế hệ V-NAND của Samsung:

(Nguồn: Pulse/Maeil Business về sản xuất hàng loạt V9 · KED Global về V9 290 lớp · Samsung PRNewswire, GMIF2026)

Chìa khóa của V10 là "BV-NAND": bonding V-NAND. Mảng ô nhớ và mạch ngoại vi được sản xuất riêng rồi gắn kết theo chiều dọc. Vượt quá 400 lớp, việc xếp chồng trong một quy trình chạm giới hạn vật lý; bonding đang trở thành giải pháp chuẩn của ngành.

Qua lăng kính MBA, điều quan trọng không phải công nghệ mà là kinh tế học. Mật độ bit +58% nghĩa là nhiều hơn 58% số bit trên cùng một wafer — mức giảm cấu trúc của chi phí mỗi GB. NAND là ngành chu kỳ, và chi phí giảm sẽ chuyển thành một trong hai điều: (a) hạ giá để giành thị phần, hoặc (b) giữ giá để thu lợi nhuận. Với nhu cầu suy luận AI đang bùng nổ, Samsung nhắm cả hai — sản phẩm cao cấp như SSD 256TB để bắt lợi nhuận, và lợi thế chi phí của V10 để bắt sản lượng.

2. SSD 256TB — định vị "nhỏ nhất thế giới" thực sự có nghĩa gì

Bảng thông số BM1773 theo công bố:

(Nguồn: Samsung PRNewswire, GMIF2026)

Phát biểu của Yoon — "Với hai SSD này, chúng tôi sẽ dẫn dắt cả thị trường hiệu năng lẫn thị trường dung lượng" — là tuyên ngôn chiến lược theo phân khúc. PM1763 đảm nhận tốc độ (PCIe Gen6 + TLC + tản nhiệt tăng cường); BM1773 đảm nhận dung lượng (QLC V9).

Hãy xét ý nghĩa kinh doanh của "nhỏ nhất thế giới". Trong trung tâm dữ liệu, kích thước vật lý của SSD chuyển trực tiếp thành mật độ dung lượng trên mỗi rack. Nhét 256TB vào cùng một form factor sẽ nâng mật độ lưu trữ trên rack và hạ chi phí trên mỗi mét vuông trung tâm dữ liệu — chỉ số TCO mà các hyperscaler thực sự tối ưu. Với hyperscaler, SSD không phải linh kiện; mà là diện tích. BM1773 nhắm chính xác vào điểm đó.

Việc PM1763 dùng PCIe Gen6 cũng đáng chú ý. Gen6 tăng gấp đôi băng thông mỗi lane lên 64GT/s so với Gen5. Trong offload KV cache, nút thắt là giao diện chứ không phải ô nhớ NAND. Là người đầu tiên có SSD hiệu năng Gen6 là một nước cờ giành quyền dẫn dắt chuẩn giao diện trong thế hệ máy chủ AI.

3. TCO của offload bộ nhớ GPU — phép tính chi phí, không phải câu chuyện

Câu hỏi trung tâm của bài viết: khi bộ nhớ GPU cạn, vì sao offload sang SSD thay vì chồng thêm HBM?

Câu trả lời nằm trong bảng giá.

(Nguồn: bộ theo dõi giá HBM SiliconAnalysts · Maeil Business về đàm phán giá HBM4 · bộ theo dõi SSD StorageDiskPrices — đều là ước tính ngành)

Đặt HBM4 ở ~$32/GB cạnh SSD doanh nghiệp ở ~$0,20/GB, bạn sẽ thấy chênh lệch chi phí mỗi GB tới 100–200 lần cho cùng dung lượng. KV cache quá lớn để giữ trọn trong HBM và quá đắt để tính toán lại từ đầu. Việc SSD chiếm vùng đất ở giữa là tất yếu.

Rõ ràng, băng thông và độ trễ của SSD không thể so với HBM. Nhưng offload KV cache không dành cho token "nóng" — mà cho ngữ cảnh "ấm": ngữ cảnh dùng chung dài hạn giữa các agent, system prompt và các đoạn tài liệu được tái sử dụng. Chúng không được truy cập đủ thường xuyên để biện minh cho việc thường trú trong HBM, nhưng tính lại mỗi lần thì đắt. SSD PCIe Gen6 là điểm tối ưu kinh tế cho workload đó.

Đó chính là ý nghĩa của "phép tính chi phí, không phải câu chuyện". So TCO của việc thêm một stack HBM với việc dựng một tầng SSD, vế sau thắng áp đảo. Dòng hai hướng BM1773/PM1763 của Samsung đứng trên phép tính đó.

4. zNAND-O — cái nêm cắm vào hệ phân cấp bộ nhớ của AI biên

Dễ bị lu mờ bởi câu chuyện trung tâm dữ liệu, zNAND-O có thể là quân bài chiến lược nhất Samsung tung ra tại GMIF2026.

• Là gì: kiến trúc NAND thế hệ mới cho AI trên thiết bị, đang phát triển các phiên bản 4 lớp và 8 lớp.
• Cấu trúc: co-package cạnh MPU, kết nối qua giao diện UCIe.
• Thông số: mật độ bit gấp 10 lần DRAM tiêu chuẩn; băng thông đọc và hiệu suất năng lượng đọc gấp 7 lần flash NAND.
• Mô phỏng: trong mô phỏng dùng mô hình Kimi K2-1T của Moonshot AI, kiến trúc tối ưu cho NPU với zNAND-O đã giảm chi phí bộ nhớ xuống còn một phần tư ở cùng hiệu năng và chứa được mô hình lớn gần gấp đôi.

(Nguồn: Samsung PRNewswire, GMIF2026)

Qua lăng kính MBA, zNAND-O là một đòn tấn công vào chính hệ phân cấp bộ nhớ. Các mô hình AI dự kiến vượt một nghìn tỷ tham số vào 2030; giữ toàn bộ trọng số trong DRAM theo UMA truyền thống sẽ khiến chi phí trên thiết bị bùng nổ. zNAND-O không phải "DRAM rẻ hơn" — mà là nỗ lực định nghĩa một lớp mới cạnh bộ xử lý.

Lựa chọn giao diện UCIe là điểm mấu chốt. UCIe là chuẩn kết nối chiplet mở — trung lập với nhà cung cấp. Chọn UCIe thay vì bus độc quyền cho thấy tham vọng biến zNAND-O thành một lớp chuẩn của ngành, chứ không phải tính năng riêng của AP Samsung. Ai định nghĩa lớp, người đó định nghĩa lợi nhuận — như HBM đã chứng minh.

5. Cấu trúc thị trường — SSD doanh nghiệp vừa nuốt một nửa nhu cầu NAND

Các con số kể câu chuyện cấu trúc.

Sự chuyển dịch cấu trúc là không thể nhầm lẫn. Khi workload AI dịch chuyển từ huấn luyện sang suy luận, SSD doanh nghiệp giờ hấp thụ gần một nửa tổng số bit NAND. Nguồn cung tiêu dùng thắt chặt, ASP tiêu dùng lập kỷ lục. Doanh thu ngành NAND tăng gấp 3,5 lần trong một năm.

Bức tranh cạnh tranh cũng đang xáo trộn. Samsung, ưu tiên DRAM biên lợi nhuận cao hơn, chứng kiến thị phần xuất xưởng NAND giảm xuống 25% (cơ sở xuất xưởng), trong khi SK hynix dựa vào SSD doanh nghiệp QLC của công ty con Solidigm (+40% theo quý về số bit xuất xưởng) đạt 22%. YMTC của Trung Quốc, đang sản xuất hàng loạt NAND 3D 267 lớp và phát triển công nghệ 300+ lớp, lần đầu tiên lọt top 3 toàn cầu.

Các thông báo của Samsung tại GMIF2026 là một đòn phản công trên chiến trường này: cấu trúc chi phí của V10 + vị thế dẫn đầu dung lượng của BM1773 + vị thế dẫn đầu hiệu năng của PM1763, nhằm giành lại thị trường SSD doanh nghiệp cao cấp.

Chase's Take

Trong khi HBM chiếm mọi tiêu đề, sự dịch chuyển lợi nhuận thực sự đang diễn ra ở tầng lưu trữ.

Thứ nhất, NAND đang được định nghĩa lại. Một thập kỷ qua, NAND là "lưu trữ rẻ nhất mỗi GB". Samsung giờ đang định vị lại nó thành "lớp mở rộng cho bộ nhớ GPU không chứa nổi KV cache". Định nghĩa lại danh mục là định nghĩa lại lợi nhuận — cùng một bit nhưng giá khác nhau khi bán như mở rộng bộ nhớ so với bán như lưu trữ.

Thứ hai, bonding 400 lớp là tuyên ngôn về năng lực cạnh tranh chi phí, không phải cuộc đua công nghệ. Mật độ bit +58% cuối cùng nghĩa là chi phí mỗi GB thấp hơn, và chi phí mỗi GB thấp hơn là quyền định giá. Với YMTC đang bám đuổi ở 300+ lớp, việc Samsung mở ra kỷ nguyên 400 lớp bằng bonding biến "khoảng cách số lớp" thành "khoảng cách chi phí". Trên bàn đàm phán giá NAND, số lớp chính là sức mặc cả.

Thứ ba, zNAND-O là canh bạc dài hạn lớn nhất. BM1773 và PM1763 chuyển thành doanh thu trong 1–2 năm, nhưng zNAND-O nhắm tới việc thay đổi chính hệ phân cấp bộ nhớ. Chọn UCIe — giao diện mở — nghĩa là xây hệ sinh thái, và ai xây hệ sinh thái sẽ gặt hái chuẩn. Nó có thể trở thành chìa khóa chi phí trên thiết bị trong kỷ nguyên nghìn tỷ tham số 2030 — với lưu ý rằng nó vẫn đang phát triển.

Thứ tư, rủi ro nằm ở nguồn cung. Khi SSD doanh nghiệp nuốt một nửa số bit NAND, nguồn cung tiêu dùng thắt chặt và chính chiến lược ưu tiên DRAM của Samsung cũng giới hạn năng lực NAND của hãng. Nếu lợi thế chi phí của V10 không chuyển thành sản lượng xuất xưởng thực tế, đòn phản công chỉ dừng ở thông báo thông số. Việc lấy mẫu PM1763 trong quý IV/2026 và tốc độ ramp sản xuất V10 là các điểm kiểm chứng.

Hàm ý

Cho nhà đầu tư - Lợi ích từ chi phí mỗi GB NAND giảm dịch chuyển từ nhà sản xuất SSD sang nhà vận hành trung tâm dữ liệu (hyperscaler). Chi phí mỗi GB thấp hơn hạ TCO của SSD dung lượng lớn và mở rộng ngân sách lưu trữ của hạ tầng AI. Người hưởng lợi cuối cùng là bên "mua" tầng lưu trữ. - Xu hướng cao cấp hóa SSD doanh nghiệp mang tính cấu trúc. Trong thị trường mà hơn một nửa số bit NAND chảy vào máy chủ, NAND tiêu dùng đối mặt với nguồn cung thắt chặt kéo dài và ASP leo thang. Hãy xem cấu trúc biên lợi nhuận của các nhà cung cấp có tỷ trọng SSD doanh nghiệp cao. - Khoảng cách hơn 100 lần giữa giá HBM (HBM4 đàm phán khoảng $4 mỗi Gb) và giá SSD củng cố logic kinh tế của các kiến trúc offload KV cache. Hệ sinh thái mở rộng bộ nhớ dựa trên CXL và PCIe Gen6 đáng được theo dõi.

Cho nhà quản lý - Chiến lược mua sắm bộ nhớ cần mở rộng từ "đảm bảo HBM" sang "thiết kế hệ phân cấp bộ nhớ". Trên ngăn xếp bốn tầng — HBM + CXL + SSD hiệu năng + SSD dung lượng — việc bố trí tối ưu theo workload dựa trên TCO trở thành năng lực cạnh tranh hạ tầng. - Nếu bạn xây dựng sản phẩm AI biên, hãy theo dõi sự xuất hiện của các lớp bộ nhớ dựa trên UCIe như zNAND-O. Thời điểm kinh tế học của mô hình trên thiết bị thay đổi sẽ đánh dấu bước ngoặt của lộ trình sản phẩm. - Trong lựa chọn nhà cung cấp NAND, "lộ trình số lớp" chính là "lộ trình chi phí". Tốc độ ramp của thế hệ bonding 400 lớp sẽ quyết định sức mạnh đàm phán giá NAND giai đoạn 2027–2028.

FAQ

H1. Vì sao việc xếp chồng hơn 400 lớp của V10 V-NAND lại quan trọng?

Chi phí NAND được quyết định bởi số bit trên mỗi wafer. Với hơn 400 lớp cho mật độ bit cao hơn 58% so với thế hệ trước, cùng một wafer cho ra nhiều hơn 58% số bit — mức giảm cấu trúc của chi phí mỗi GB. Đó là nguồn gốc của quyền định giá và biên lợi nhuận. Samsung đạt được điều này bằng bonding (BV-NAND): sản xuất riêng ô nhớ và mạch ngoại vi rồi gắn kết theo chiều dọc. (Nguồn)

H2. Ai mua SSD 256TB (BM1773), và vì sao?

Các trung tâm dữ liệu AI (hyperscaler). Trong kỷ nguyên AI agentic, KV cache đã vượt quá bộ nhớ GPU, khiến một tầng lưu trữ dùng chung độc lập trở thành tất yếu. BM1773 là dòng dung lượng trên QLC V9 từ 16TB đến 256TB, được gọi là "SSD 256TB nhỏ nhất thế giới". Kích thước vật lý nhỏ hơn nghĩa là mật độ dung lượng trên rack cao hơn và TCO trung tâm dữ liệu thấp hơn. (Nguồn)

H3. PM1763 và BM1773 khác nhau thế nào?

PM1763 là flagship hiệu năng với giao diện PCIe Gen6 (TLC V-NAND, tản nhiệt tăng cường, lấy mẫu quý IV/2026); BM1773 là flagship dung lượng trên QLC V9 (16TB–256TB). Samsung tuyên bố chiến lược hai hướng để "dẫn dắt cả thị trường hiệu năng lẫn thị trường dung lượng". Cả hai đều nhắm tới lưu trữ dùng chung KV cache. (Nguồn)

H4. zNAND-O khác SSD thông thường ở điểm nào?

zNAND-O không phải SSD — mà là kiến trúc NAND cho một lớp bộ nhớ được co-package cạnh bộ xử lý (MPU). Kết nối qua UCIe, nó cho mật độ bit gấp 10 lần DRAM tiêu chuẩn cùng băng thông đọc và hiệu suất năng lượng đọc gấp 7 lần flash NAND. Hướng tới AI trên thiết bị và bài toán chi phí bộ nhớ trên thiết bị trong kỷ nguyên nghìn tỷ tham số hướng tới 2030. Các phiên bản 4 lớp và 8 lớp đang được phát triển. (Nguồn)

Bài viết là phân tích dựa trên thông cáo báo chí công khai và ước tính ngành, không phải khuyến nghị đầu tư. Các con số phản ánh thông báo tính đến tháng 10/2026 và có thể thay đổi theo điều kiện thị trường.