400단 V-NAND와 256TB SSD — 삼성 NAND 반격의 스토리지 경제학
삼성이 400단 V-NAND와 세계 최소형 256TB SSD를 공개했다. bit density 60% 향상의 의미는 GB당 원가 하락이다. GPU 메모리가 모자랄 때 HBM을 더 쌓는 대신 SSD로 내려받는 아키텍처가 현실이 되고 있다. NAND가 AI 인프라의 두 번째 마진 풀로 부상하는 스토리지 경제학을 읽는다.
30초 요약
- 결론: 삼성전자가 2026년 10월 15일 선전 GMIF2026에서 업계 최초 400단 이상 V-NAND(V10)와 세계 최소형 256TB 엔터프라이즈 SSD(BM1773)를 공개했다. NAND는 '값싼 저장소'에서 'GPU 메모리 확장 레이어'로 재정의되고 있으며, 스토리지 티어가 AI 인프라의 두 번째 마진 풀로 부상하고 있다. (Source: Samsung PRNewswire, 2026-10-15)
- 핵심 수치: V10은 전 세대(V9) 대비 bit density +58%, I/O 속도 +33%, 소비전력 -25%. BM1773은 V9 QLC 기반 16TB~256TB. PM1763은 PCIe Gen6 성능형 SSD로 2026년 4분기 샘플링.
- 왜 중요한가: AI가 학습에서 추론·에이전트로 이동하면서 KV cache가 GPU 메모리를 초과하고 있다. GPU 메모리가 모자랄 때 HBM을 더 쌓는 대신 SSD로 오프로드하는 아키텍처가 현실이 됐다 — 이는 스토리가 아니라 단가 계산이다.
- 투자 시사점: NAND 원가 하락(V10의 GB당 원가 절감)의 수혜가 SSD 메이커에서 데이터센터 운영자로 이동하는 지점을 주목. eSSD가 2026년 2분기 전체 NAND 출하 비트의 48%를 차지했고, 연말에는 50%를 넘을 전망이다.
Background: GMIF2026에서 삼성이 던진 세 개의 카드
2026년 10월 15일, 중국 선전. 제5회 GMIF(Global Memory Innovation Forum) Innovation Summit이 열렸다. 선전 메모리산업협회와 북경대학교 집적회로학원이 공동 주최했고, 3,000명 이상의 전문가가 참석했다. 올해 주제는 "AI 메모리와 스토리지 위에 세우는 미래(The Future Built on AI Memory and Storage)"였다. (Source)
기조연설자는 삼성전자 메모리중국의 CVP 겸 CTO 케빈 윤(Kevin Yoon). 연설 제목은 "메모리 혁명: 에이전틱 AI의 토대를 세우다(The Memory Revolution: Building the Foundation of Agentic AI)". 삼성이 이날 꺼낸 카드는 세 개였다.
첫째, 업계 최초 400단 이상 V-NAND — V10 BV-NAND. 둘째, 256TB 엔터프라이즈 SSD BM1773과 PCIe Gen6 SSD PM1763의 투트랙 서버 SSD 라인업. 셋째, 엣지 AI용 차세대 NAND 아키텍처 zNAND-O. 삼성은 이날 "Outstanding AI Memory and Storage Industry Leadership Award"도 수상했다.
윤 CTO가 던진 핵심 명제는 한 문장으로 압축된다. "KV cache가 GPU 메모리를 초과하는 순간, 독립된 공유 스토리지 티어는 필연이다(Once KV cache outgrows GPU memory, an independent shared storage tier becomes inevitable)."
AI 패러다임이 생성형에서 에이전틱으로 이동하면서 여러 에이전트가 협업하고 대량의 토큰이 생성·재사용된다. 그 결과 KV cache의 용량과 재사용 수요가 폭증했고, KV cache가 GPU 메모리 안에 들어가지 않는 순간이 왔다. 이게 바로 이번 발표의 비즈니스 맥락이다.
Business Deep Dive
1. 400단 본딩의 경제학 — bit density +58%는 곧 GB당 원가 하락이다
NAND 산업의 원가 구조는 단순하다. 웨이퍼 한 장에서 몇 비트를 뽑아내느냐가 전부다. 단수를 높이면 같은 웨이퍼 면적에서 더 많은 비트를 생산할 수 있고, GB당 원가는 하락한다.
삼성의 V-NAND 세대별 궤적은 다음과 같다.
| 세대 | 적층 단수 | 다이 용량 | I/O 인터페이스 | 비고 |
|---|---|---|---|---|
| V7 | 176단 | — | — | BM1743 61.44TB QLC SSD의 기반 |
| V8 | 236단 | 1Tb TLC | Toggle 5.0 (2.4 GT/s) | 당시 업계 최대 단수 |
| V9 | 290단 | 1Tb TLC | Toggle 5.1 (3.2 GT/s) | 더블스택(2×145), 소비전력 -10% |
| V10 (BV-NAND) | 400단 이상 | 미공개 | — | 업계 최초 400단+, bit density +58%, I/O +33%, 소비전력 -25% |

(Source: Pulse/Maeil Business, V9 양산 · KED Global, V9 290단 · Samsung PRNewswire, GMIF2026)
V10의 핵심은 'BV-NAND', 즉 본딩(Bonding) V-NAND다. 메모리 셀 어레이와 주변 회로(peripheral circuit)를 각각 별도로 제조한 뒤 수직으로 접합하는 방식이다. 단수가 400을 넘어서면 한 번에 쌓아 올리는 단일 스택 방식으로는 공정 한계에 부딪힌다. 본딩은 이 한계를 우회하는 산업 표준 해법이 되어가고 있다.
MBA 관점에서 중요한 것은 기술이 아니라 경제학이다. bit density +58%는 같은 웨이퍼로 58% 더 많은 비트를 생산한다는 뜻이고, 이는 곧 GB당 원가의 구조적 하락이다. NAND는 사이클 산업이다. 원가 하락은 두 가지 중 하나로 전환된다. (a) 가격을 내려 점유율을 뺏거나, (b) 가격을 유지하고 마진을 먹는 것. AI 추론 수요가 폭발하는 지금, 삼성은 (a)와 (b)를 동시에 노린다 — 256TB급 고용량 SSD라는 프리미엄 제품으로 마진을 취하면서, V10의 원가 우위로 볼륨을 가져가는 전략이다.
2. 256TB SSD — '세계 최소형'이라는 포지셔닝의 의미
BM1773의 스펙을 정리하면 다음과 같다.
| 항목 | PM1763 (성능형) | BM1773 (용량형) |
|---|---|---|
| 인터페이스 | PCIe Gen6 | 미공개 (엔터프라이즈) |
| NAND | V-NAND TLC | V9 QLC |
| 용량 범위 | 미공개 | 16TB ~ 256TB |
| 포지셔닝 | 성능 시장 | 용량 시장 — "세계 최소형 256TB SSD" |
| 일정 | 2026년 4분기 샘플링 | 공개 완료 |
| 목표 워크로드 | KV cache 공유 스토리지 | KV cache 공유 스토리지 |

(Source: Samsung PRNewswire, GMIF2026)
윤 CTO의 발언 — "이 두 SSD로 성능 시장과 용량 시장을 모두 주도하겠다(With these two SSDs, we will drive both the performance and capacity markets)" — 는 세그먼트 전략의 선언이다. PM1763은 PCIe Gen6 + TLC + 강화된 냉각 시스템으로 '속도'를, BM1773은 V9 QLC로 '용량'을 맡는다.
"세계 최소형"이라는 표현의 비즈니스 의미를 짚어보자. 데이터센터에서 SSD의 물리적 크기는 곧 랙당 용량 밀도다. 같은 2.5인치 또는 EDSFF 폼팩터에 256TB를 넣으면, 랙당 스토리지 밀도가 올라가고, 데이터센터의 단위 면적당 비용(TCO)이 내려간다. 하이퍼스케일러에게 SSD는 '부품'이 아니라 '공간'이다. BM1773의 포지셔닝은 정확히 이 지점을 겨냥한다.
PM1763의 PCIe Gen6 채택도 주목할 점이다. PCIe Gen6는 레인당 64GT/s로 Gen5의 두 배 대역폭이다. KV cache 오프로드에서 병목은 NAND 셀 속도가 아니라 인터페이스다. Gen6를 가장 먼저 단 성능형 SSD라는 타이틀은, AI 서버 세대의 인터페이스 표준 주도권을 노리는 수다.
3. GPU 메모리 오프로드의 TCO — 스토리가 아니라 단가 계산
이 글의 핵심 질문은 이것이다. "GPU 메모리가 모자라면 왜 HBM을 더 쌓지 않고 SSD로 내려받는가?"
답은 단가표에 있다.
| 메모리/스토리지 | GB당 비용 (추정) | 비고 |
|---|---|---|
| HBM3E (12-high, 36GB/288Gb 스택) | 약 $8.3/GB | 스택당 약 $300 (2026년 10월 업계 추정치) |
| HBM4 (12-high, 36GB/288Gb 스택) | 약 $32/GB 이상 | 삼성, 2027년 계약가 Gb당 $4 중후반 제시 (HBM3E $1.50/Gb의 3배) |
| 엔터프라이즈 SSD (QLC 고용량) | 약 $0.15~0.35/GB | 2026년 상반기~하반기 시세, 수급 타이트 |
| 컨슈머 NVMe SSD | 약 $0.11~0.19/GB | 2026년 9월 시세 기준 |
(Source: SiliconAnalysts HBM 가격 추적 · Maeil Business, HBM4 가격 협상 · StorageDiskPrices SSD 시세 — 모두 업계 추정치)
HBM4의 GB당 $32와 엔터프라이즈 SSD의 GB당 $0.2를 나란히 놓으면, 같은 용량을 확보하는 데 100~200배의 단가 차이가 난다. KV cache는 GPU 메모리(HBM)에 다 담기에는 너무 크고, 버리기에는(재계산) 너무 비싸다. 중간 지대를 SSD가 차지하는 것은 필연이다.
물론 SSD의 대역폭과 지연시간은 HBM과 비교할 수 없다. 하지만 KV cache 오프로드는 '핫'한 토큰이 아니라 '웜'한 컨텍스트를 내려받는 용도다. 에이전틱 AI에서 에이전트 간 공유되는 장기 컨텍스트, 재사용되는 시스템 프롬프트와 문서 청크 — 이들은 HBM에 상주시킬 만큼 빈번히 접근되지 않지만, 매번 재계산하기에는 비싸다. PCIe Gen6 SSD는 이 워크로드의 경제적 최적점이다.
이게 바로 "스토리가 아니라 단가 계산"이라는 말의 의미다. HBM 스택을 하나 더 얹는 것과 SSD 티어를 두는 것의 TCO를 비교하면, 후자가 압도적으로 싸다. 삼성의 BM1773/PM1763 투트랙은 이 계산 위에 서 있다.
4. zNAND-O — 엣지 AI 메모리 계층에 꽂는 쐐기
데이터센터 이야기에 가려지기 쉽지만, GMIF2026에서 가장 전략적인 카드는 zNAND-O다.
- 정의: 온디바이스 AI용 차세대 NAND 아키텍처. 현재 4레이어·8레이어 버전 개발 중.
- 구조: MPU 옆에 co-package되고 UCIe 인터페이스로 연결.
- 스펙: 표준 DRAM 대비 10배의 bit density, NAND 플래시 대비 7배의 읽기 대역폭·읽기 에너지 효율.
- 시뮬레이션: Moonshot AI의 Kimi K2-1T 모델 시뮬레이션에서, zNAND-O 기반 NPU 최적화 아키텍처는 동일 성능에서 메모리 비용을 1/4로 줄이고, 약 2배 큰 모델을 탑재할 수 있었다.
(Source: Samsung PRNewswire, GMIF2026)
MBA 렌즈로 보면, zNAND-O는 메모리 계층(memory hierarchy)에 대한 공격이다. 2030년이면 AI 모델이 1조 파라미터를 넘을 것으로 예상되는데, 전통적인 UMA(Unified Memory Architecture)로 모든 가중치를 DRAM에 올리면 온디바이스 비용이 감당할 수 없이 뛴다. zNAND-O는 "DRAM을 대체하는 더 싼 메모리"가 아니라, 프로세서 옆에 붙는 새로운 계층을 정의하려는 시도다.
UCIe 인터페이스 선택이 핵심이다. UCIe는 칩렛 간 개방형 인터페이스 표준으로, 특정 벤더에 종속되지 않는다. 삼성이 독자 버스가 아니라 UCIe를 택했다는 것은, zNAND-O를 자사 AP 전용이 아니라 업계 표준 계층으로 만들겠다는 야망의 표현이다. 계층을 정의하는 자가 마진을 정의한다 — HBM이 그랬듯이.
5. 시장 구조 — eSSD가 NAND 수요의 절반을 삼켰다
숫자로 시장을 보자.
| 지표 | 수치 | 시점/출처 |
|---|---|---|
| 삼성 NAND 매출 점유율 | 29.3% (1위) | 2026년 2분기, 업계 조사 추정치 (BusinessKorea) |
| 삼성 NAND 매출 점유율 | 29% (1위) | 2026년 1분기, 업계 조사 추정치 (SamMobile) |
| 글로벌 NAND 매출 | $46B (전년 동기 대비 3.5배) | 2026년 1분기 — 2023년 연간 전체를 상회 (SamMobile) |
| eSSD의 NAND 비트 출하 비중 | 48% (1년 전 26%) | 2026년 2분기, 연말 50% 초과 전망 (Pulse/Maeil Business) |
| YMTC 출하 점유율 | 14% (글로벌 3위 진입) | 2026년 2분기, 키오시아 제치고 첫 3위 (Pulse/Maeil Business) |
구조적 변화는 명확하다. AI 추론 워크로드가 학습에서 추론으로 이동하면서, 엔터프라이즈 SSD가 전체 NAND 비트의 절반을 가져갔다. 컨슈머 공급은 부족해졌고, 컨슈머 ASP는 사상 최고치를 찍었다. NAND 매출은 1년 새 3.5배로 뛰었다.
경쟁 구도도 요동친다. 삼성은 고마진 DRAM을 우선하면서 NAND 출하 점유율이 25%까지 내려갔고(출하 기준), SK하이닉스는 자회사 Solidigm의 QLC eSSD(전분기 대비 비트 출하 +40%)에 힘입어 22%를 차지했다. 중국의 YMTC는 267단 3D NAND를 양산하고 300단 이상 기술을 개발하며 처음으로 글로벌 3위에 올랐다.
삼성의 GMIF2026 발표는 이 전장에서 던지는 반격이다. V10의 원가 구조 + BM1773의 용량 리더십 + PM1763의 성능 리더십으로, eSSD 프리미엄 시장의 주도권을 되찾겠다는 선언이다.
Chase's Take
HBM이 헤드라인을 가져가는 사이, 진짜 마진 이동은 스토리지 티어에서 일어나고 있다.
첫째, NAND의 재정의가 시작됐다. 지난 10년간 NAND는 'GB당 가장 싼 저장소'였다. 이제 삼성은 NAND를 'GPU 메모리가 감당 못 하는 KV cache를 받는 확장 레이어'로 repositioning하고 있다. 카테고리 재정의는 마진 재정의다. 저장소로 팔 때와 메모리 확장으로 팔 때, 같은 비트라도 가격이 다르다.
둘째, 400단 본딩은 기술 경쟁이 아니라 원가 경쟁의 선언이다. bit density +58%는 결국 GB당 원가 하락이고, 원가 하락은 가격 결정력이다. YMTC가 300단대로 쫓아오는 상황에서, 삼성이 본딩으로 400단 시대를 여는 것은 '단수 격차'를 '원가 격차'로 바꾸는 수다. NAND 가격 협상 테이블에서 단수는 곧 발언권이다.
셋째, zNAND-O가 장기적으로 가장 큰 베팅이다. BM1773과 PM1763은 1~2년 내 매출로 연결되는 제품이지만, zNAND-O는 메모리 계층 자체를 바꾸려는 시도다. UCIe라는 개방형 인터페이스를 택한 것은 생태계를 만들겠다는 뜻이고, 생태계를 만드는 자가 표준의 과실을 가져간다. 2030년 1조 파라미터 시대의 온디바이스 비용 문제를 푸는 열쇠가 될 수 있다 — 물론 아직은 개발 단계라는 점을 감안해야 한다.
넷째, 리스크는 수급이다. eSSD가 NAND 비트의 절반을 삼키면서 컨슈머 공급이 타이트해졌고, 삼성 스스로도 DRAM 우선 전략 때문에 NAND 캐파가 제약받고 있다. V10의 원가 우위가 실제 공급량으로 이어지지 않으면, 반격은 스펙 발표에 그친다. 2026년 4분기 PM1763 샘플링과 V10 양산 램프 속도가 검증 포인트다.
Implications
투자 관점 - NAND 원가 하락의 수혜는 SSD 메이커에서 데이터센터 운영자(하이퍼스케일러)로 이동한다. GB당 원가가 내려가면, 고용량 SSD의 TCO가 내려가고, AI 인프라의 스토리지 예산이 늘어난다. 수혜의 최종 귀착지는 스토리지 티어를 '사는' 쪽이다. - eSSD 프리미엄화가 구조적이다. 전체 NAND 비트의 절반 이상이 서버용으로 가는 시장에서, 컨슈머 NAND는 공급 부족·ASP 상승이 이어질 수 있다. NAND 믹스에서 eSSD 비중이 높은 업체의 마진 구조에 주목. - HBM 가격(HBM4, Gb당 $4 중후반 협상)과 SSD 가격의 100배 이상 격차는, KV cache 오프로드 아키텍처의 경제적 당위성을 뒷받침한다. CXL·PCIe Gen6 기반 메모리 확장 생태계 기업도 함께 볼 것.
경영 관점 - 메모리 조달 전략을 'HBM 확보'에서 '메모리 계층 설계'로 확장해야 한다. HBM + CXL + 고성능 SSD + 대용량 SSD의 4단 티어에서, 워크로드별 최적 배치(TCO 기준)가 인프라 경쟁력이 된다. - 엣지 AI 제품을 만드는 기업이라면 zNAND-O 같은 UCIe 기반 메모리 계층의 등장을 주시해야 한다. 온디바이스 모델 크기의 경제성이 바뀌는 시점이 제품 로드맵의 분기점이 된다. - NAND 벤더 선택에서 '단수 로드맵'은 곧 '원가 로드맵'이다. 400단 본딩 세대의 램프 속도가 2027~2028년 NAND 가격 협상력을 가른다.
FAQ
Q1. V10 V-NAND의 400단 적층이 왜 중요한가요?
NAND의 원가는 웨이퍼당 비트 수로 결정됩니다. 400단 이상 적층으로 bit density가 전 세대 대비 58% 오르면, 같은 웨이퍼에서 58% 더 많은 비트를 생산할 수 있어 GB당 원가가 구조적으로 하락합니다. 이는 가격 결정력과 마진의 원천입니다. 삼성은 셀과 주변 회로를 따로 만들어 수직 접합하는 본딩(BV-NAND) 기술로 이 단수를 달성했습니다. (Source)
Q2. 256TB SSD(BM1773)는 누가, 왜 삽니까?
AI 데이터센터(하이퍼스케일러)가 삽니다. 에이전틱 AI 시대에 KV cache가 GPU 메모리를 초과하면서, 독립된 공유 스토리지 티어가 필연이 됐습니다. BM1773은 V9 QLC 기반 16TB~256TB 용량형 라인업으로 '세계 최소형 256TB SSD'를 표방합니다. 물리적 크기가 작을수록 랙당 용량 밀도가 올라가 데이터센터 TCO가 내려갑니다. (Source)
Q3. PM1763과 BM1773의 차이는 무엇인가요?
PM1763은 PCIe Gen6 인터페이스의 성능형 플래그십(V-NAND TLC, 강화된 냉각, 2026년 4분기 샘플링)이고, BM1773은 V9 QLC 기반의 용량형 플래그십(16TB~256TB)입니다. 삼성은 두 제품으로 "성능 시장과 용량 시장을 모두 주도"하겠다는 투트랙 전략을 선언했습니다. 둘 다 KV cache 공유 스토리지를 목표로 합니다. (Source)
Q4. zNAND-O는 기존 SSD와 무엇이 다른가요?
zNAND-O는 SSD가 아니라 프로세서(MPU) 옆에 co-package되는 메모리 계층용 NAND 아키텍처입니다. UCIe 인터페이스로 연결되며, 표준 DRAM 대비 10배의 bit density와 7배의 읽기 대역폭·에너지 효율을 갖습니다. 온디바이스 AI(엣지)용으로, 2030년 1조 파라미터 시대에 DRAM만으로 감당할 수 없는 온디바이스 메모리 비용 문제를 푸는 것이 목표입니다. 현재 4레이어·8레이어 버전이 개발 중입니다. (Source)
본 글은 공개된 보도자료와 업계 추정치를 바탕으로 한 분석이며, 투자 권유가 아닙니다. 수치는 발표 시점(2026년 10월) 기준이며 시장 상황에 따라 변동될 수 있습니다.