Market Bulletin：800V 電力大轉換 ― AI 資料中心為何用 GaN、SiC 重寫供電架構

2026年10月17日 — 10月13日至15日在聖荷西舉行的 OCP Global Summit 2026 上，資料中心供電（power delivery）成為全場焦點。輝達（NVIDIA）宣布從 2027 年起為 1MW（百萬瓦）級機櫃推進 800V DC 供電架構，並與 Navitas 共同開發的 24kW、800V 轉 12V GaN 供電板登上輝達「AI Factory MGX Wall」展示牆。該板標榜滿載效率 97%（公司目標值）、功率密度超過 2,000 W/in³，並取消 50V 中間匯流排轉換級。安森美（onsemi）估計，下一代 1MW AI 機櫃的功率半導體含量已從 5 萬美元倍增至 10 萬美元。算力競賽，正轉變為供電競賽。

重點摘要

• 輝達 800V HVDC 架構。 在資料中心邊界將 13.8kV 交流電轉為 800V 直流電，從 2027 年起支撐 1MW 級 IT 機櫃。輝達聲稱（皆為公司目標值）：銅用量減少約 45%、每根導體的功率提升最高 85%、總持有成本（TCO）降低最高 30%。ABB、Eaton、Schneider Electric、Vertiv 列名合作夥伴，2027 年將與 Kyber 系統同步量產。每列（row）供電 2MW，Rubin Ultra 級系統規劃以約 1MW 驅動每機櫃約 576 顆 GPU。來源：TokenPost、Cobtel。
• Navitas × 輝達 24kW GaN 供電板。 在 OCP 2026 輝達 AI Factory MGX Wall 上展示的 800V 轉 12V 供電板，標榜滿載轉換效率 97%（公司目標值）、功率密度超過 2,000 W/in³，並取消 50V 中間匯流排轉換級。來源：EE Times（2026年10月16日）。
• Navitas 營收逐季爬坡。 營收從 2025 年第 4 季 730 萬美元 → 2026 年第 1 季 860 萬美元 → 第 2 季約 1,050 萬美元，第 3 季財測中間值約 1,350 萬美元（季增約 28%）。第 3 季財報預定 11 月 3 日公布。來源：Tickeron、Finimize。
• 英飛凌（Infineon）27kW 三相 PSU 參考板。 針對 AI 伺服器、符合 OCP ORV3 規範的設計，功率密度達 116 W/in³，高於 ORV3 最低標準 94 W/in³。採用五階層 ANPC PFC 加上三階層 LLC 的數位控制架構。來源：EE Times。
• 1MW 機櫃的半導體含量倍增。 安森美估計，下一代 1MW AI 機櫃的功率半導體含量從 5 萬美元倍增至 10 萬美元。來源：AInvest。背景是機櫃功耗急升 ― 從 2020 年代初的約 40kW，到 2026 年的 120kW 以上，Kyber 世代每機櫃約 600kW，2027 年起在 800VDC 下達到 1MW。來源：Wedbush、GPUSmith。
• 光寶（LITEON）列名輝達 800VDC 零組件供應商。 輝達公布的系統零組件供應商之一。光寶在 2025 年第 3 季法說會表示，AI 相關業務占 2025 年營收 20%，2026 年可望達到 40%（公司展望）。來源：CommonWealth Magazine（英文，2025年10月）。

市場動態

傳統交流供電鏈的做法是：在邊界接收 13.8kV 交流電，經 UPS 配到機櫃列，再從 48V 匯流排降到 12V，最後在各處理器附近的 POL 轉換器逐級降壓。每多一級轉換就多一層效率損失，銅匯流排為了承載電流愈做愈粗重。這套模式在 40kW 機櫃時代行得通，但面對 600kW 的 Kyber 機櫃、乃至 1MW 機櫃，物理上已經撐不下去。IEA 預測，全球資料中心用電量到 2026 年將合計達到約 1,000 TWh。來源：AInvest。

輝達的答案很直接：在邊界把 13.8kV 交流電一次轉為 800V 直流電，用電壓的平方壓低銅損（I²R），並削減轉換級數。Navitas 的 24kW 供電板就是這個邏輯在板級的實現 ― 取消 50V 中間匯流排轉換級，從 800V 直接降到 12V。英飛凌的 27kW 三相 PSU 參考板則顯示，ORV3 生態系已開始為 800V 時代建立實作基準。供電不再是商品，而是架構選擇。

新舊架構比較如下。

VLSI觀點

結構性的解讀很直接：算力（compute）呈指數成長，但銅和物理學沒有。供電如今已是機櫃設計的束縛條件（binding constraint）。轉向 800V 不是更新週期，而是架構切換；一旦規格底定，就會形成長達十年的鎖定效應。半導體含量倍增（5 萬 → 10 萬美元，安森美估計）正說明了這個鎖定對功率半導體產業的獎金有多大。

贏家：GaN 功率元件供應商（Navitas）、能做出 27kW 三相 PSU 這種高密度電源的英飛凌、打進輝達供應鏈的光寶、Delta 等高功率 PSU 廠，以及具備 800V 對應的高壓 BCD、MOSFET、GaN 製程的晶圓代工廠。輸家：純矽 IGBT 單一路線的業者，以及被 48V 設計綁死的傳統 PSU 廠。冷靜一點看 ― Navitas 的營收爬坡（730 萬 → 1,350 萬美元）方向正確，但在 1MW 機櫃 10 萬美元含量中能拿下多少份額仍待驗證，11 月 3 日的第 3 季財報是下一個試金石。

韓國視角 ― DB HiTek 是韓國 8 吋功率晶圓代工廠，服務 400 多家全球客戶（Asia Business Daily 英文版，2025年11月），其 2025 年第 3 季財報簡報已將 GaN 與高壓 BCD、MOSFET 並列為新製程擴張領域。來源：DB HiTek 2025 年第 3 季財報簡報、Asia Business Daily（英文）。作為 800V 時代的代工承接者，其布局值得關注。韓國資料中心的建設熱潮，也在為 800V 需求培育本土市場。

Chase's Take: 在晶圓廠待過的人都知道，瓶頸永遠移到最不起眼的地方。曾經是電晶體微縮，接著是設備供應，現在是配電。當年我在做 STA signoff、追配線 IR drop 的時候，「升壓降流、損耗按平方下降」只是紙上物理。如今輝達把這條物理定律搬到資料中心的尺度上執行。投資人該看的是「誰進了 800V 匯流排的 BOM」；工程師該判斷的是，GaN 和 SiC 誰是 800V 頻段的本命 ― 800V 轉 12V 的高速轉換是 GaN 的地盤，高壓段則是 SiC 的堡壘。分界線劃在哪裡，就決定未來五年的勝負。

展望

• 2027 年 Kyber 放量：輝達的 800VDC 能否按計畫達到量產規模 ― 每列 2MW 的供電中心實際上線與否是第一個驗證點。
• ORV3 採用擴大：超大規模雲端業者會把 800V 匯流排標準化，還是並行多種架構？標準化的速度決定零組件廠商的可觸及市場。
• 高壓頻段的 SiC 與 GaN 分工：800V 轉 12V 的高速轉換 GaN 占優，高壓一次轉換段 SiC 占優 ― 分工邊界劃在哪裡，左右兩大陣營的營收分配。
• 中國寬能隙產能擴張：中國 GaN、SiC 增產可能帶來價格壓力。成本戰來臨前，能否鞏固性能優勢是關鍵。
• Navitas 第 3 季財報（11 月 3 日）：730 萬 → 860 萬 → 1,050 萬美元的爬坡能否延續，中間值約 1,350 萬美元的財測能否達標是焦點。

FAQ

Q1: 為什麼是 800V，48V 不行嗎？

損耗與電流的平方成正比（I²R）。電壓拉高，同樣功率下電流下降，銅損按平方減少。1MW 機櫃若用 48V 配電，電流將達 2 萬安培級，匯流排的粗細與發熱都不切實際；800V 下簡單計算約為 1,250 安培。輝達以此為基礎，提出銅用量減少約 45%、TCO 降低最高 30% 的目標（皆為公司目標值）。

Q2: GaN 和 SiC 如何分工？

800V 轉 12V 這類高速切換的轉換級是 GaN 的強項（Navitas 24kW 供電板即為代表），更高壓的一次轉換段則是 SiC 的強項。兩者更多是分工而非競爭，在 800VDC 架構中都有機會進入 BOM。

Q3: 取消 50V 中間匯流排為什麼重要？

轉換級數愈少，每一級產生的損耗和零件數就愈少。Navitas 的供電板取消 50V 中間匯流排轉換級，從 800V 直接轉到 12V，標榜滿載效率 97%（公司目標值）與超過 2,000 W/in³ 的功率密度。級數愈少效率愈高、面積愈小 ― 直接推高機櫃的功率密度。

Q4: 對韓國企業意味著什麼？

DB HiTek 已在 2025 年第 3 季財報簡報中將 GaN 列為新製程擴張領域 ― 韓國功率晶圓代工也瞄準 800V 時代的代工需求。另一方面，會不會出現像光寶（台灣）這樣打進輝達零組件供應鏈的韓國 PSU 或零組件廠，是下一個觀察重點。韓國資料中心的建設熱潮，正在為這類需求培育本土市場。