400層V-NAND與256TB SSD — 三星NAND反擊的儲存經濟學

30秒摘要

• 結論: 三星電子於2026年10月15日在深圳GMIF2026發表業界首款400層以上V-NAND（V10）與全球最小的256TB企業級SSD（BM1773）。NAND正從「便宜的儲存裝置」被重新定義為「GPU記憶體擴展層」，儲存層級正在崛起為AI基礎設施的第二個利潤池。（Source: Samsung PRNewswire, 2026-10-15）
• 關鍵數字: V10相較V9位元密度提升58%、I/O速度提升33%、功耗降低25%。BM1773採用V9 QLC，容量16TB至256TB。PM1763為PCIe Gen6高效能SSD，2026年第四季開始送樣。
• 為何重要: 隨著AI從訓練轉向推論與代理式（agentic）工作負載，KV快取正在超出GPU記憶體容量。與其堆疊更多HBM，不如將資料卸載至SSD的架構已成為現實——這是成本計算，不是故事。
• 投資啟示: 關注NAND每GB成本下降的受益者從SSD廠商轉向資料中心營運商的時點。企業級SSD在2026年第二季已佔NAND出貨位元的48%，年底可望突破50%。

背景：GMIF2026上三星打出的三張牌

2026年10月15日，中國深圳。第五屆GMIF（Global Memory Innovation Forum）創新峰會登場，由深圳市記憶體行業協會與北京大學積體電路學院共同主辦，超過3,000名專業人士與會。今年的主題是「構築在AI記憶體與儲存之上的未來（The Future Built on AI Memory and Storage）」。（Source）

主題演講者是三星電子記憶體中國的CVP兼CTO Kevin Yoon，演講題目為「記憶體革命：打造代理式AI的基礎（The Memory Revolution: Building the Foundation of Agentic AI）」。三星當天打出了三張牌。

第一，業界首款400層以上V-NAND——V10 BV-NAND。第二，**256TB企業級SSD「BM1773」與PCIe Gen6 SSD「PM1763」**的雙軌伺服器SSD產品線。第三，邊緣AI用次世代NAND架構「zNAND-O」。三星也在該峰會上獲得「Outstanding AI Memory and Storage Industry Leadership Award」。

Yoon CTO的核心命題可以濃縮為一句話：「當KV快取超出GPU記憶體的那一刻，獨立的共享儲存層級就成為必然（Once KV cache outgrows GPU memory, an independent shared storage tier becomes inevitable）」。

隨著AI典範從生成式轉向代理式，多個代理協同處理複雜任務，大量Token被生成與重複使用。KV快取的容量與重用需求爆發，已無法裝進GPU記憶體——這正是本次發表的商業脈絡。

商業深度解析

1. 400層鍵合的經濟學 —— 位元密度+58%就是每GB成本下降

NAND產業的成本結構很單純：一切取決於一片晶圓能取出多少位元。堆疊層數越高，相同晶圓面積產出的位元越多，每GB成本就越低。

三星V-NAND各世代軌跡如下：

（Source: Pulse/Maeil Business, V9量產 · KED Global, V9 290層 · Samsung PRNewswire, GMIF2026）

V10的關鍵是「BV-NAND」，即鍵合（Bonding）V-NAND。記憶體單元陣列與周邊電路分別製造後再垂直鍵合。超過400層後，一次性堆疊會碰到製程極限，鍵合正成為產業標準的繞道解法。

從MBA視角看，重要的不是技術而是經濟學。位元密度+58%意味著同一片晶圓多產出58%的位元，也就是每GB成本的結構性下降。NAND是景氣循環產業，成本下降只會轉化為兩種結果：(a)降價搶市佔，或(b)維持價格賺取利潤。在AI推論需求爆發的當下，三星兩者都要——以256TB級大容量SSD這類高階產品賺取利潤，同時以V10的成本優勢拿下量。

2. 256TB SSD —— 「全球最小」定位的真正含義

整理BM1773的發表規格：

（Source: Samsung PRNewswire, GMIF2026）

Yoon CTO的發言——「憑這兩款SSD，我們將主導效能市場與容量市場（With these two SSDs, we will drive both the performance and capacity markets）」——是市場區隔戰略的宣言。PM1763負責速度（PCIe Gen6＋TLC＋強化散熱），BM1773負責容量（V9 QLC）。

思考「全球最小」這個表述的商業含義。在資料中心，SSD的物理尺寸直接對應每機櫃的容量密度。相同外形尺寸塞進256TB，機櫃儲存密度提升，資料中心單位面積成本（TCO）下降。對超大規模業者而言，SSD不是「零件」而是「 floor space（機房面積）」。BM1773的定位正是瞄準這一點。

PM1763採用PCIe Gen6也值得注意。Gen6每通道64GT/s，是Gen5的兩倍頻寬。在KV快取卸載中，瓶頸是介面而非NAND單元速度。率先推出Gen6效能型SSD的頭銜，是在爭奪AI伺服器世代的介面標準主導權。

3. GPU記憶體卸載的TCO —— 是成本計算，不是故事

本文的核心問題是：「GPU記憶體不夠時，為什麼不堆更多HBM，而是把資料卸到SSD？」

答案在價格表裡。

（Source: SiliconAnalysts HBM價格追蹤 · Maeil Business, HBM4價格談判 · StorageDiskPrices SSD市況 ——皆為業界估計值）

HBM4約$32/GB對上企業級SSD約$0.2/GB，同樣容量的取得成本相差100至200倍。KV快取太大裝不進HBM，丟掉重算又太貴，SSD佔據中間地帶是必然。

當然，SSD的頻寬與延遲無法與HBM相比。但KV快取卸載的對象不是「熱」資料，而是「溫」資料——代理之間共享的長期上下文、重複使用的系統提示詞與文件區塊。這些資料的存取頻率不足以支撐常駐HBM，但每次重算又太貴。PCIe Gen6 SSD正是這類工作負載的經濟最適解。

這就是「是成本計算，不是故事」的含義。多堆一顆HBM與建置SSD層級，兩者的TCO一比，後者壓倒性勝出。三星BM1773／PM1763的雙軌產品線就站在這個算式之上。

4. zNAND-O —— 打入邊緣AI記憶體階層的楔子

容易被資料中心話題掩蓋，但GMIF2026上最具戰略性的一張牌可能是zNAND-O。

• 定義：裝置端AI用次世代NAND架構，目前開發中的有4層與8層版本。
• 結構：與MPU並排co-package，以UCIe介面連接。
• 規格：標準DRAM十倍的位元密度；NAND快閃七倍的讀取頻寬與讀取能效。
• 模擬：以Moonshot AI的Kimi K2-1T模型模擬，採用zNAND-O的NPU最佳化架構在相同效能下將記憶體成本降至四分之一，並可搭載約兩倍大的模型。

（Source: Samsung PRNewswire, GMIF2026）

從MBA視角看，zNAND-O是對記憶體階層（memory hierarchy）本身的進攻。預計2030年AI模型將超過一兆參數，若沿用傳統UMA把所有權重放在DRAM，裝置端成本將飆到無法承受。zNAND-O不是「更便宜的DRAM」，而是試圖定義處理器旁邊的新階層。

選擇UCIe介面是關鍵。UCIe是chiplet間的開放式互連標準，不依附特定廠商。不選私有匯流排而選UCIe，代表三星有意把zNAND-O做成產業標準階層，而非自家AP專用。定義階層者定義利潤——正如HBM所證明的。

5. 市場結構 —— 企業級SSD吞掉了NAND需求的一半

用數字看市場：

結構性變化非常明確。隨著AI工作負載從訓練轉向推論，企業級SSD拿下近半NAND位元出貨。消費級供應吃緊，消費級ASP創歷史新高，NAND產業營收一年暴增3.5倍。

競爭格局也在震盪。三星因優先高利潤DRAM，NAND出貨市佔滑落至25%（出貨基準），SK海力士則靠子公司Solidigm的QLC企業級SSD（位元出貨季增40%）拿下22%。中國長江存儲量產267層3D NAND並開發300層以上技術，首度進入全球前三。

三星的GMIF2026發表正是在這個戰場上的反擊：以V10的成本結構＋BM1773的容量領導力＋PM1763的效能領導力，宣告奪回企業級SSD高階市場主導權。

Chase's Take

當HBM搶走所有頭條的同時，真正的利潤遷移正在儲存層級發生。

第一，NAND的重新定義開始了。過去十年，NAND是「每GB最便宜的儲存」。三星現在正將NAND重新定位為「承接GPU記憶體裝不下的KV快取的擴展層」。品類的重新定義就是利潤的重新定義——同樣的位元，當儲存賣和當記憶體擴展賣，價格完全不同。

第二，400層鍵合是成本競爭的宣言，不是技術競賽。位元密度+58%最終意味著每GB成本下降，而每GB成本下降就是定價權。在長江存儲以300層以上追趕的局面下，三星以鍵合開啟400層時代，是把「層數差距」轉化為「成本差距」的一手。在NAND價格談判桌上，層數就是話語權。

第三，zNAND-O是長期最大的賭注。BM1773與PM1763是一兩年內轉化為營收的產品，但zNAND-O試圖改變記憶體階層本身。選擇UCIe這個開放介面意味著要建立生態系，而建立生態系者收割標準的果實。它可能成為解開2030年兆參數時代裝置端成本問題的鑰匙——當然，目前仍在開發階段，這點必須打折看待。

第四，風險在供給。企業級SSD吞掉一半NAND位元，消費級供應吃緊，三星自身的DRAM優先戰略也限制了NAND產能。若V10的成本優勢無法轉化為實際出貨量，反擊就只停留在規格發表。2026年第四季PM1763送樣與V10量產爬坡速度是驗證點。

啟示（Implications）

投資視角 - NAND成本下降的受益者從SSD廠商轉向資料中心營運商（超大規模業者）。每GB成本下降壓低大容量SSD的TCO，擴大AI基礎設施的儲存預算。受益的最終歸屬是「買」儲存層級的那一方。 - 企業級SSD的高階化是結構性的。在超過一半NAND位元流向伺服器的市場中，消費級NAND將持續供應吃緊、ASP走高。關注NAND產品組合中企業級SSD佔比高的廠商的利潤結構。 - HBM價格（HBM4以每Gb $4中高段洽談）與SSD價格百倍以上的差距，支撐了KV快取卸載架構的經濟正當性。CXL與PCIe Gen6記憶體擴展生態系的企業也值得一併關注。

經營視角 - 記憶體採購戰略應從「確保HBM」擴展為「設計記憶體階層」。在HBM＋CXL＋高效能SSD＋大容量SSD的四層架構中，按工作負載做TCO基準的最佳配置，就是基礎設施競爭力。 - 若你打造邊緣AI產品，應密切關注zNAND-O這類UCIe基礎記憶體層級的出現。裝置端模型經濟性改變的時點，就是產品路線圖的分岔點。 - 在NAND供應商選擇上，「層數路線圖」就是「成本路線圖」。400層鍵合世代的量產爬坡速度，將決定2027至2028年NAND價格談判力。

FAQ

Q1. V10 V-NAND的400層堆疊為何重要？

NAND成本由每片晶圓的位元數決定。400層以上堆疊使位元密度較前代提升58%，同一片晶圓多產出58%的位元，每GB成本結構性下降，這就是定價權與利潤的來源。三星以鍵合（BV-NAND）技術——將記憶單元與周邊電路分別製造再垂直鍵合——達成此層數。（Source）

Q2. 256TB SSD（BM1773）誰買、為什麼買？

AI資料中心（超大規模業者）買。在代理式AI時代，KV快取超出GPU記憶體，獨立的共享儲存層級成為必然。BM1773是V9 QLC基礎的16TB至256TB容量型產品線，主打「全球最小的256TB SSD」。物理尺寸越小，每機櫃容量密度越高，資料中心TCO越低。（Source）

Q3. PM1763與BM1773有何不同？

PM1763是PCIe Gen6介面的效能旗艦（V-NAND TLC、強化散熱、2026年第四季送樣），BM1773是V9 QLC基礎的容量旗艦（16TB～256TB）。三星宣告以雙軌戰略「主導效能市場與容量市場」，兩者都瞄準KV快取共享儲存。（Source）

Q4. zNAND-O與傳統SSD有何不同？

zNAND-O不是SSD，而是與處理器（MPU）並排co-package的記憶體層級用NAND架構。以UCIe介面連接，具備標準DRAM十倍的位元密度、七倍的讀取頻寬與能效。面向裝置端（邊緣）AI，目標是解決2030年兆參數時代DRAM無法獨力承擔的裝置端記憶體成本問題。目前4層與8層版本開發中。（Source）

本文為基於公開新聞稿與業界估計值的分析，非投資建議。數字以發表時點（2026年10月）為準，可能隨市況變動。