VLSI KoreaDaily Silicon: 삼성전자·SK hynix 43.2조: HBM·DRAM 시설투자
현직 반도체 엔지니어가 오늘 읽은 글로벌 반도체 뉴스 요약 - 삼성전자·SK hynix 43.2조: HBM·DRAM 시설투자
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현직 반도체 엔지니어가 오늘 읽은 뉴스 요약:
삼성전자와 SK hynix의 1H26 semiconductor facilities 투자는 43.198조원으로 전년 대비 35.1% 증가했고, 두 회사 memory line utilization은 100%였다. 오늘은 HBM capacity만이 아니라 2nm design window, QLC NAND density, 800VDC 전력 path가 동시에 리드타임을 재정의한다.
Chase's Take - 나는 43.198조원보다 100% utilization을 먼저 본다. backend 팀은 wafer starts가 늘어도 package slot, burn-in, substrate qualification이 뒤따르지 않으면 출하량을 과대평가하게 된다.
다음 확인점은 2H26 HBM4 customer qualification이 설비 확장 속도와 같은 방향으로 움직이는지다.
1. 삼성·SK hynix 1H26 Chip Facility Investment 35.1%
TL;DR - 1H26 두 회사의 semiconductor facilities 투자는 43.198조원으로 35.1% 늘었고, memory line utilization은 100%에 도달했다.
- 삼성전자 DS는 25.603조원, SK hynix는 17.595조원을 집행했다. SK hynix 증가율은 56.4%로 더 빨랐다.
- wafer starts 증설만으로 HBM 공급이 늘지는 않는다. package material, burn-in, customer qualification이 같은 속도로 풀리는지 봐야 한다.
출처: TrendForce - 삼성·SK hynix 1H26 Chip Facility Investment 35.1%
2. Samsung Foundry 1.4nm: 2029로 3년 지연
TL;DR - Samsung Foundry는 1.4nm mass production을 2029로 미루고, 2nm에서 3년 머문 뒤 A10 이하용 High-NA EUV를 준비한다.
- NGL 2026에서 삼성은 1.4nm 공정에 High-NA EUV를 쓰지 않는다고 밝혔고, A10 이하에서의 필요성을 언급했다.
- foundry 고객은 PDK maturity와 yield learning window가 길어진 만큼, 2nm design reuse와 library qualification을 별도 schedule로 잡아야 한다.
출처: Electronics Weekly - Samsung Foundry 1.4nm: 2029로 3년 지연
3. KIOXIA·SanDisk 10세대 QLC: 60% bit density
TL;DR - KIOXIA와 SanDisk의 10세대 QLC 3D NAND는 bit density를 최대 60% 높여 37 Gb/mm²를 넘기고 4.8 Gb/s interface에 도달했다.
- CMOS와 memory array를 별도 wafer에서 만든 뒤 bond하는 CBA 구조가 density와 I/O 개선의 기반이다.
- AI storage tier는 capacity만이 아니라 data-out power와 cooling budget을 함께 보게 된다. controller firmware와 host queue depth가 실제 전력 이득을 좌우한다.
출처: EEJournal - KIOXIA·SanDisk 10세대 QLC: 60% bit density
4. 800VDC: 125kW AI rack가 1MW power path로
TL;DR - AI server rack가 약 125 kilowatts에서 500 kilowatts, 이후 1 megawatt로 커지면 800VDC는 board power와 facility protection을 함께 바꾸는 architecture 전환이다.
- Infineon은 800V high-voltage DC-DC architecture를 다음 단계로 제시했고, TI는 50V 부근으로는 같은 전력을 rack에 넣기 어렵다고 설명했다.
- power integrity signoff는 converter efficiency만 보지 말고 DC breaker, busbar thermal, fault coordination을 같은 path로 검증해야 한다.
출처: Semiconductor Engineering - 800VDC: 125kW AI rack가 1MW power path로
앞으로 지켜볼 것
- 삼성전자·SK hynix의 2H26 facilities 지출과 utilization
43.198조원 투자가 wafer starts와 실제 memory 출하로 이어지는 속도를 확인할 수 있다. - Samsung Foundry 2nm PDK와 library qualification 일정
1.4nm 일정 이동이 고객의 design reuse와 tapeout window를 어떻게 바꾸는지 드러난다. - QLC NAND의 4.8 Gb/s interface 검증과 data-out power
density 향상이 AI storage tier의 thermal budget과 controller 설계에 남는 이득을 가른다. - 800VDC rack의 DC protection과 thermal signoff
전압 전환은 converter가 아니라 switchgear, busbar, telemetry까지 포함한 system qualification 문제다.
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자주 묻는 질문
삼성전자와 SK하이닉스의 2026년 상반기 설비투자는 얼마인가요?
합계 43조 1,980억원으로 전년 대비 35.1% 늘었습니다. 삼성전자 DS가 25조 6,030억원, SK하이닉스가 17조 5,950억원을 집행했고 SK하이닉스 증가율은 56.4%였습니다. 두 회사 메모리 라인 가동률은 100%에 도달했습니다.
삼성 파운드리의 1.4nm 일정은 어떻게 바뀌었나요?
양산 시점이 2029년으로 늦춰졌습니다. 삼성은 1.4nm 공정에 High-NA EUV를 쓰지 않는다고 밝혔고 A10 이하에서 필요성을 언급했으며, 2nm에서 3년 머무는 일정이 제시됐습니다.
키오시아와 샌디스크의 10세대 QLC NAND 사양은 무엇인가요?
비트 밀도를 최대 60% 높여 37Gb/mm²를 넘기고 인터페이스 속도 4.8Gb/s에 도달했습니다. CMOS와 메모리 어레이를 별도 웨이퍼에서 만든 뒤 접합하는 CBA 구조가 밀도와 I/O 개선의 기반입니다.
800VDC 전환이 필요한 이유는 무엇인가요?
AI 서버 랙 전력이 약 125kW에서 500kW, 이후 1MW로 커지기 때문입니다. 전압 전환은 컨버터 효율만이 아니라 DC 차단기, 버스바 열 설계, 장애 조정까지 함께 검증해야 하는 시스템 자격 문제로 제시됐습니다.
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