最新半導體分析

Analysis

三星與SK海力士拒絕韓電25兆韓元電費預付：晶圓廠背後電網帳單的5個事實 (韓國電力、龍仁園區、電網)

韓國電力向三星提議預付約20兆韓元、向SK海力士提議約5兆韓元，合計25兆韓元電費，但兩家公司均未接受。從公司債額度懸崖到龍仁15GW需求，整理晶圓廠背後電網成本的5個事實。

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321層NAND量產與中國追趕 — AI儲存競爭的5個事實 (YMTC、eSSD)

SK海力士於2026年10月24日開始量產全球首款321層NAND。2Tb QLC寫入最高+56%、讀取+18%、寫入功耗-23%，中國市場YMTC以38.5%領先三星電子與SK海力士，enterprise SSD占NAND位元出貨的48%。

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美光結束20年研究，轉向3D DRAM (vHBM・400層NAND路線圖)

美光結束測試約20年的4F-square，將資本轉向3D DRAM。密度提升25%的1-delta、導入鍵合的1-epsilon、高數值孔徑EUV的zeta、vHBM與HBM4E條件，以及超過400層的G11 NAND，本文拆解這份路線圖發言。

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三星電子在HBM營收超越SK海力士 — 第三季逆轉的5個事實 (HBM4)

Bernstein估計2026年第三季HBM營收為三星電子USD 8.7B、SK海力士USD 7.6B。市占率差距由37個百分點縮小至17個百分點，逆轉動力來自HBM4。本文拆解營收逆轉與獲利逆轉為何並不相同。

Analysis

全球 Tape-out 企業普查 2026 — 以名稱驗證的 640 家公司完整名單

全世界實際上做 tape-out 的公司有幾家。本文公開以名稱與證據驗證的 640 家公司（Tier A 511、Tier B 129）完整名單，以及 full-mask 量產 900~1,100 家公司的估計模型。

Analysis

沒有電容器的 DRAM — 中國研究團隊，用垂直雙閘 IGZO 實證 4F2 2T0C

去掉電容器的 2T0C DRAM，觸及了單元面積下限 4F2。本文以數字剖析中國科學院研究團隊的 SASS 製程與雙閘 IGZO 實證，並與三星和 SK 海力士的 1T1C 4F2 正攻法誠實比較。包含保持時間 470 秒的意義與 85 度 90 秒的極限。

Analysis

半導體價格為什麼誰都猜不中 — 麥肯錫、摩根士丹利都會錯的結構性理由

WSTS 把 2023 年看為 +5.1%，實際卻是 -8.2%。TrendForce 的 DRAM 展望在一季內跳了 4 倍。本文用數字驗證麥肯錫·摩根士丹利·TrendForce 在結構上必然會錯的理由，以及相對值得相信的訊號。

Analysis

重新設計 HBM ECC — Sungkyunkwan 大學 Cerberus，減少 redundancy 33.3% 並獲 ISCA 2026 Best Paper

Sungkyunkwan 大學 Cerberus 獲得 ISCA 2026 Best Paper。以 EODM 共同設計把 on-die、link、system ECC 綁成一個 redundancy，HBM redundancy 減少 33.3% 同時提高可靠性的結構與極限分析。

Analysis

HBM 8 層 vs 12 層 vs 16 層：層數越高，誰賺錢

HBM 8 層 vs 12 層 vs 16 層 — 層數不是規格，而是價格表。累積良率以 KGD 98% 為準，從 8 層 85% 降到 12 層 79%、16 層 72%，薄化 (約 30µm)、接合轉換與無法返工是瓶頸。先做出的公司獨佔溢價，也有以 8 層生產更多 GPU 的選擇。誰賺錢、各階段的殺手瓶頸一次整理。

Engineering

接上 Quad SPI,感測器也不會變快的原因

以 TinyProbe 的新研究為出發點,計算在接腳數量之前應先檢視的傳輸長度、控制器、緩衝器與無線路徑的處理量。

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半導體·電子·資訊工程學系筆電推薦：用 4 年課程決定的規格（2027 年第 1 學期）

用半導體·電子·資訊工程學系 4 年課程決定的筆電規格。以 Vivado·MATLAB·Altium 官方需求規格為依據，整理了 RAM 32GB 成為標準的理由，以及需要 GPU 的學生與不需要的學生的差異。

Analysis

什麼是半導體 — 半導體完整指南：從原理到產業、投資地圖

從什麼是半導體到電晶體運作原理、DRAM、NAND、HBM 世代、製造製程、無廠半導體與代工價值鏈、市場循環與韓國半導體地圖 — 以 2026 年 10 月為基準整理的 VLSI Korea 半導體完整指南。