VLSI工程指南

Engineering

接上 Quad SPI,感測器也不會變快的原因

以 TinyProbe 的新研究為出發點,計算在接腳數量之前應先檢視的傳輸長度、控制器、緩衝器與無線路徑的處理量。

Engineering

INT8 加速器的精確度在乘法之後分出高下

若 scale、捨入與飽和規則對不齊,同一個量化模型也會給出不同的答案。本文整理 RISC-V 與 FPGA 設計者應先驗證的輸出路徑。

Engineering

減少了邏輯閘,電路為什麼反而更慢

佈局之後,負載與導線可能比邏輯級數更主導時序。透過反映物理資訊的重新映射研究與公開設計工具,探討應該採用哪種最佳化。

Engineering

把液體冷卻流量增加到兩倍，晶片會冷多少

把流量增加到兩倍，水的溫度上升會減半，但晶片的固體、接觸熱阻會留下。以虛擬 1,000 W 計算判斷要改變流量、接觸面或入口水溫中的哪一個。

Engineering

TLB 預取:未命中減少了,記憶體卻可能更忙

預先讀取位址轉換的設計,其損益取決於準確度、到達時點與追加流量。本文以自行計算的範例,整理 MMU 與平台團隊的判斷標準。

Engineering

玻璃基板 CTE 是愈低愈好嗎

低熱膨脹對晶片側接合有利，但可能在主機板側留下負擔。以假設的設計計算比較兩個介面，並區分位移、翹曲與壽命。

Engineering

熱阻不是晶片的常數:接面溫度計算出錯的三個理由

Datasheet 的熱阻、封裝表面溫度與平均功率,回答的是不同的問題。必須對齊電路板邊界條件與發熱時間,計算值才能成為設計判斷。

Engineering

如何讀 MOSFET Datasheet：比導通電阻先確認的閘極電壓與發熱條件

以 IRFZ44N 與 IRF7726 Datasheet 區分臨界電壓與導通電阻條件，說明導通損耗計算與外殼溫度額定的閱讀順序。

Engineering

CFET 結構完整解剖 — 為什麼必須從 nanosheet 折疊

CFET 結構完整解剖。把 nFET 與 pFET 垂直堆疊，將標準單元高度減半 — monolithic 與 sequential 製程、thermal budget 的陷阱、STA 與 PDK 觀點的設計課題。既有「CFET 是什麼？」概要篇的深化篇。

Engineering

SpaceX 會用到哪些半導體：區分 Starlink 終端與衛星晶片的方法

依公開根據區分 ST 的 RF 技術、舊型終端的 Cortex-A53、DDR3、eMMC、衛星雷射用 STM32V8，並指出與軌道資料中心的差異。

Engineering

在提高 ADC 位元數之前,輸入電壓安定了嗎

SAR ADC 的精確度不只在轉換器內部決定。擷取時間與通道切換、輸入濾波器、放大器的動作,必須綁成同一個時間與誤差預算來看。

Engineering

Hanmi Semiconductor 分析 — HBM Bonder 第 1 名的護城河與風險

HBM TC bonder 全球第 1 名 Hanmi Semiconductor 的護城河與風險。2025 年營收 5,767 億韓元、營業利益率 43.6%，MR-MUF 標準先占與 150 多件專利的實體，以及對 SK hynix 依賴、Samsung 內部化、hybrid bonding 轉換三大風險分析。