三星 vs SK海力士：SEDEX 2026揭露的AI記憶體戰爭的本質

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30秒摘要

• SEDEX 2026（10月14至16日，首爾COEX）以史上最大規模（300家廠商・888個攤位）開幕。三星電子與SK海力士不約而同展出了第七代HBMHBM4E的實物。雙方都喊出相同的規格：最高16.0Gbps、最高4.0TB/s、48GB（12層堆疊）——規格競賽以平手收場。
• 真正的勝負在別處開打。三星電子的論點是**「整合」**。DS部門技術長宋載爀社長表示，三星是「涵蓋DRAM・邏輯晶片・CIS・封裝的全球唯一企業」，主打HBM4基礎裸晶以自家4奈米晶圓代工製程直接製造的垂直整合。
• SK海力士的論點是**「專精＋階層擴張」**。開發總負責人（CDO）安鉉社長宣稱「僅靠HBM無法應付暴增的AI記憶體需求」，提出目標容量為HBM十倍以上的新記憶體階層——HBF（High Bandwidth Flash）。HBF最終技術規格預計2027年1月定案。
• 兩大戰略正面交鋒的戰場是PIM（Processing-in-Memory）。三星電子主打LPDDR-PIM，SK海力士以LPDDR6-PIM應戰，雙方將在10月15日下午1點於COEX舉行的JEDEC論壇爭奪標準化的主導權。
• 三星電子公開了投資約360兆韓元的龍仁國家產業園區計畫。目標2027年動工、2029年10月首條生產線投產。這是「整合」論點的實體證明。
• 投資啟示：HBF標準定案（2027年1月）、各客戶客製化HBM的訂單分化、PIM標準化主導權，將決定未來五年記憶體價值鏈的走向。(Source: 亞洲經濟、Source: Nocut News)

Background：相同的HBM4E，截然相反的故事

韓國最大的半導體展SEDEX 2026於10月14日在首爾COEX開幕。由韓國半導體產業協會主辦的本屆是第28屆，主題為「Into the Era of Silicon Intelligence」（邁向矽智時代），300家企業、888個攤位參加，創下歷屆最大規模。(Source: Daily安)

展場入口最引人注目的對決，是三星電子與SK海力士的HBM4E展示。雙方都把第七代HBM實物擺在最顯眼的位置。三星電子已於5月出貨全球首批採用1c DRAM與4奈米邏輯裸晶的48GB、12層堆疊HBM4E樣品；SK海力士則在6月COMPUTEX公開12層堆疊、48GB的HBM4E後完成樣品供應。兩家都已向輝達出貨樣品。(Source: 先驅經濟、Source: Daily安)

有趣的是，雙方的規格表實質上相同。兩家都標榜最高16.0Gbps的單接腳速度、最高4.0TB/s頻寬、48GB容量（32Gb裸晶×12層）。三星電子公開了兩段數值——穩定運作基準14Gbps對應3.6TB/s、極限運作對應4.0TB/s；SK海力士則強調相較前代能源效率提升超過20%。(Source: IT朝鮮)

規格相同，意味著競爭的軸線已經轉移。勝負不再是「誰更快」，而是「誰來定義AI時代的記憶體架構」。開幕日兩家技術高層的主題演講，正是明證。

Business Deep Dive

1. 市場現況：寡占，以及規格持平的意義

全球HBM市場實質上由韓國兩強壟斷。SK海力士在HBM3・HBM3E世代領跑、拿下過半市占；三星電子則在HBM4世代以最先進製程1c DRAM緊追。兩家在HBM4E達到相同的頂級規格，是一個訊號：市場已進入光靠規格無法再差異化的階段。

此時企業可選的戰略有兩種。一是賣出規格之外的「系統」，二是創造規格之外的「階層」。三星電子選了前者，SK海力士選了後者。

2. 三星的論點：整合（Integration）——「全球唯一」

三星電子DS部門技術長宋載爀社長在主題演講中強調，三星電子是「涵蓋DRAM記憶體、邏輯晶片、CMOS影像感測器、封裝的全球唯一企業」。這不是自誇，而是商業模式的宣言。(Source: TechTimes)

整合論點的實質在基礎裸晶（base die）。位於HBM堆疊最底層的基礎裸晶，是掌管DRAM層與GPU之間資料交通的邏輯裸晶，自HBM4世代起已成為執行高度運算與控制功能的系統半導體。三星電子以自家4奈米晶圓代工製程直接製造這顆基礎裸晶。記憶體核心裸晶（1c DRAM）到邏輯設計、基礎裸晶、先進封裝，一條龍內部處理。這讓競爭對手（委外給外部晶圓代工廠）難以複製**記憶體—邏輯協同最佳化（co-optimization）**成為可能，利潤也留在內部。

展出的產品線為這個論點背書：LPDDR-PIM（記憶體內運算）、zHBM（在GPU上直接堆疊HBM的3D記憶體架構模型）、zNAND-O（邊緣AI用3D NAND解決方案模型）、2.3D Cube-E（矽中介層基礎的可擴展封裝）、3D Cube-H（3D封裝）並列在同一攤位。zHBM目標是相較HBM4E、每顆GPU效能4至8倍、每瓦效能最高3倍；zNAND-O目標是相較傳統NAND、讀取頻寬與能源效率最高提升7倍。完全呼應展覽主題「Architecting AI Systems」（為AI系統設計架構）。(Source: IT朝鮮、Source: 亞洲經濟)

而整合論點的實體證明，就是龍仁國家產業園區。三星電子投入約360兆韓元，2027年進入整地與動工階段，目標2029年10月首條生產線投產。約70家材料・零組件・設備與無晶圓廠（fabless）企業將進駐的生態系型園區。把記憶體・晶圓代工・封裝綁在同一個屋簷下的「整合」，不是設計理念，而是用土地與資金證明的戰略。(Source: 亞洲經濟)

3. SK海力士的論點：專精＋階層擴張——「光靠HBM不夠」

SK海力士開發總負責人安鉉社長的主題演講題目是「AI時代，追問記憶體創新的方向」。核心診斷是KV快取瓶頸。AI推論越複雜、上下文越長，儲存先前詞元資訊的KV快取就會先耗盡HBM容量。安社長預估，2030年AI基礎設施的效能規模將比2026年擴大約20倍。(Source: 東亞日報、Source: Nocut News)

解方不是把HBM做得更快，而是重新設計記憶體階層本身。安社長提出的藍圖有三條軸線。

第一，HBM的精進與客製化。HBM4E之後，2027年將並行推進HBM5與客製化HBM4E。客製化HBM是在基礎裸晶中嵌入各客戶專屬的邏輯IP、針對特定AI加速器最佳化，基礎裸晶的邏輯製程採用台積電的先進製程。記憶體公司內化邏輯設計能力，製造則交給最強的晶圓代工廠——專精化的分工。(Source: IT朝鮮、Source: Korea JoongAng Daily)

第二，3D Stacked DRAM。填補SRAM與HBM之間空隙的新階層，直接在GPU・NPU等邏輯晶片上堆疊DRAM，縮短資料傳輸距離。構想是將I/O擴大到傳統HBM的數十倍，解除AI效能瓶頸。概念上與三星的zHBM相近，但SK海力士將其定位為與HBM-HBF並行的階層藍圖一軸。(Source: Prime Economy)

第三，也是最大膽的——HBF（High Bandwidth Flash）。將HBM累積的矽穿孔（TSV）堆疊與高速I/O技術應用於NAND快閃的次世代記憶體，開發目標是同世代HBM的約一半頻寬、約十倍容量。在HBM與DRAM之間建立新的記憶體階層，把推論過程中反覆讀取的大規模資料放在運算裝置附近。SK海力士的說明是：AI推論中讀取作業遠多於寫入（特定模型案例約達30萬倍），NAND基礎是合適的。今年7月已公開規格0.7，2027年1月確定最終技術規格後，將與新帝（SanDisk）等全球夥伴推進標準化。(Source: Nocut News、Source: NSP通訊、Source: 東亞日報)

4. PIM：兩大戰略交鋒的戰場

兩家公司藍圖正面衝突的交點是PIM。三星電子展出LPDDR-PIM實物，SK海力士以LPDDR6-PIM迎戰。PIM是在記憶體內部執行運算以減少資料搬移的技術，兩家站在「LLM推論的瓶頸不是運算而是資料搬移」的相同診斷上，同時打出的牌。(Source: Global Economic)

決定這個戰場規則的，是10月15日下午1點在COEX C廳舉行的JEDEC論壇（「AI Memory Architectures, Testing, and Ecosystem Readiness」）。三星電子將發表LLM推論的記憶體效能極限與基於LPDDR的PIM技術；SK海力士將發表裝置端AI用LPDDR6-PIM與JEDEC標準化動向。愛萬測試（Advantest，HBM凸塊測試）、是德科技（Keysight，DDR6/LPDDR6測試）、新思科技（Synopsys，伺服器記憶體）、英特爾（裝置端AI記憶體）、聯發科也都參與。誰寫下標準，誰就主宰生態系——從這個角度看，這場論壇不是單純的技術研討會，而是決定未來五年記憶體架構主導權的場域。(Source: NewsPim、Source: Newsis)

5. 從成本結構看兩場賭注的風險

兩種戰略把風險放在不同層級。三星的風險是製程風險。1c DRAM加4奈米基礎裸晶的最尖端組合必須走上良率曲線，也與晶圓代工產能利用率連動。SK海力士的風險是堆疊風險加標準風險。16層堆疊是每層良率相乘的結構，鍵合精度（TC Bonder等設備）是命脈；HBF則是必須先建立標準、把生態系吸引進來的遊戲。標準化拉到新帝（SanDisk）這個夥伴，正是降低風險的布局。

也有共同的逆風。特斯拉執行長馬斯克最近在社群媒體上公開抱怨記憶體價格——這是身為客戶的大型科技公司開始覺得「記憶體太貴」的訊號。寡占的定價權越強，客戶就越會透過客製化HBM與標準化來牽制。這正是兩家同時高喊「客製化」與「標準」的原因。(Source: 東亞日報)

我的觀點

兩家公司擺出相同的HBM4E實物、卻講出截然相反的故事，這本身就是這個產業現況的寫照。規格競賽落幕後剩下的，是架構的定義權。三星說「我們什麼都做，所以用我們的架構」；SK海力士說「階層正在擴張，所以新階層的標準由我們來寫」。兩種主張都有道理。當AI工作負載的重心從訓練移向推論，容量（KV快取）與系統整合（基礎裸晶＋封裝）同時變得重要。

從韓國的視角看：三星360兆韓元的龍仁賭注與SK海力士的HBF標準先手，是同一枚硬幣的兩面。雙方都在玩**「標準與生態系」的遊戲**。龍仁是在實體空間建造整合生態系；HBF是先搶下新記憶體階層的標準，在邏輯空間建造生態系。記憶體強國的下一個十年，不是比誰堆得更高，而是比誰能把更多夥伴拉進自己的階層與標準。

驗證與反論也有必要。第一，HBF的「十倍容量、一半頻寬」目前仍是開發目標，不是量產規格。2027年1月規格定案後，夥伴的採用才是關鍵。第二，客製化HBM的利潤分配取決於與客戶（輝達等加速器設計者）的設計分工結構。基礎裸晶由誰設計、由誰製造，就是主導權所在。第三，PIM在概念上已經被討論超過十年。這次JEDEC標準化能否真正轉化為產品採用才是關鍵，論壇的舉辦本身不是勝利。

Implications：投資與經營啟示

• 記憶體投資人：HBM4E規格持平的消息已經反映在股價中。下一個催化劑是（1）HBF最終規格（2027年1月）與夥伴採用、（2）各客戶客製化HBM的訂單分化、（3）PIM標準化主導權。龍仁首座晶圓廠投產（目標2029年10月）是衡量三星中長期產能可見度的標尺。
• AI加速器與大型科技公司（記憶體買方）：記憶體寡占的定價權正處於高峰。多源採購與客製化HBM共同設計是價格談判力的核心槓桿。若HBF標準化，推論基礎設施的記憶體TCO結構可能改變，是時候反映在架構藍圖中。
• 設備與材料：16層堆疊時代的TC Bonder精度、HBM凸塊測試（Advantest）、DDR6/LPDDR6測試（Keysight）需求將隨標準化擴大。龍仁園區70家企業進駐計畫，是國內設備材料廠商中長期訂單的晴雨表。
• 經營通則：搶標準者與靠整合者之間的對決，不只是記憶體的故事。在任何產業中，選擇「創造新階層」還是「整合一切」，都是平台戰略的經典分叉點。

FAQ

Q1. HBM4E與HBM4有什麼不同？ A1. HBM4E是第七代HBM，是HBM4的擴展世代。三星與SK海力士的目標都是最高16.0Gbps單接腳速度、最高4.0TB/s頻寬、48GB容量（32Gb裸晶×12層）。三星採用1c DRAM核心與自家4奈米製程基礎裸晶；SK海力士採用成熟的1b DRAM製程與台積電邏輯製程的基礎裸晶。兩家都在2026年向輝達出貨樣品。

Q2. HBF是取代HBM的記憶體嗎？ A2. 不是。HBF（High Bandwidth Flash）不是取代HBM，而是在HBM與DRAM之間加入的新記憶體階層。它將矽穿孔（TSV）堆疊與高速I/O技術應用於NAND快閃，目標是同世代HBM約一半的頻寬、約十倍的容量。用途是把AI推論KV快取這類反覆讀取的大容量資料放在運算裝置附近，最終技術規格預計2027年1月定案。

Q3. 為什麼PIM突然變得重要？ A3. 因為確認了AI推論的瓶頸不是運算能力（GPU FLOPS）而是資料搬移。在LLM推論中，把權重與KV快取從記憶體搬到運算裝置既耗時又耗電。PIM在記憶體內部執行運算，減少這種搬移。三星電子主打LPDDR-PIM，SK海力士主打LPDDR6-PIM，雙方將在10月15日的JEDEC論壇討論標準化動向。

Q4. 三星電子的龍仁360兆投資代表什麼？ A4. 這是「整合」戰略的實體證明——把記憶體・晶圓代工・封裝綁在同一個地方。三星電子計畫在龍仁國家產業園區投入約360兆韓元，2027年動工、2029年10月首條生產線投產，約70家材料・零組件・設備與無晶圓廠企業將進駐。這是整合論點從設計理念落實為實際產能與供應鏈的過程。

本文根據2026年10月15日的公開資料撰寫。文中提及的藍圖（HBF規格・PIM標準化等）為各公司的開發目標，可能變更。請勿作為投資判斷的依據。^1

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