Chase Na - Semiconductor Design Engineer

Founder of VLSI Korea. Staff Engineer at Synopsys — STA and physical-design methodology for advanced-node tape-outs. EE BS·MS · MBA. Writes from Seoul.

South Korea
Chase Na - Semiconductor Design Engineer
ALD/ALE란? 원자층 단위로 쌓고 깎는 GAA·3D NAND 시대의 backbone 공정

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ALD/ALE란? 원자층 단위로 쌓고 깎는 GAA·3D NAND 시대의 backbone 공정

GAA 나노시트의 work-function metal, 3D NAND 300단 word line, HBM TSV 배리어, EUV 패터닝 spacer — advanced node의 모든 critical 박막은 ALD/ALE를 거친다. 0.5-1.5Å/cycle의 self-limiting 적층과 1Å 미만의 atomic-layer 식각이 왜 backbone이 되었는지, throughput·선택성·전구체 화학의 trade-off, 그리고 메모리 고객이 국내에 있는 한국 공급망의 강·약점을 정리했다.

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EUV Pellicle이란? 13.5nm 광에 90% 투과를 요구하는 EUV 마스크 보호막

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EUV Pellicle이란? 13.5nm 광에 90% 투과를 요구하는 EUV 마스크 보호막

EUV 노광에서 마스크가 받는 광량과 입자 환경 속에서, 펠리클은 단 수십 nm 박막으로 입자는 막고 13.5nm 광은 통과시켜야 한다. 단일 패스 투과율 90%·왕복 81%·열 부하·기계적 강도 — 이 모순 요구가 어떻게 풀려 왔는지, 그리고 High-NA EUV 진입과 함께 왜 다시 한 번 펠리클이 산업적 화두가 됐는지를 ASML·미쓰이·S&S Tech·삼성·TSMC의 행보를 통해 본 EUV 펠리클 현주소.

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GDDR7이란? PAM-3 시그널링으로 32-36Gbps를 노리는 AI·GPU 메모리의 다음 카드

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GDDR7이란? PAM-3 시그널링으로 32-36Gbps를 노리는 AI·GPU 메모리의 다음 카드

AI 시대 메모리는 HBM 만이 아니다. 컨슈머 GPU·AI 인퍼런스·오토모티브 — HBM 의 가격과 패키지 복잡도를 감당할 수 없는 시장이 GDDR7 로 빠르게 갈아탄다. PAM-3 시그널링으로 핀당 32-36 Gbps 를 달성하는 GDDR7 의 구조와 trade-off, 삼성·SK하이닉스·마이크론 3사 구도, 그리고 한국 메모리 산업에 미치는 영향을 정리한다.

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