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Daily Silicon: WSTS 반도체 $1.51T·브로드컴 $286B 쇼크·베라루빈 HBM4 3사 인증·삼성 HBM5 첫 공개·엔비디아 RTX 스파크

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Daily Silicon: WSTS 반도체 $1.51T·브로드컴 $286B 쇼크·베라루빈 HBM4 3사 인증·삼성 HBM5 첫 공개·엔비디아 RTX 스파크

TL;DR — 세계반도체무역통계(WSTS)가 2026년 춘계 전망에서 글로벌 반도체 시장 규모를 1조 5,100억 달러로 대폭 상향 조정했다. 이는 전년 대비 90% 성장한 수치로, AI 수요가 촉발한 메모리 슈퍼사이클이 전체 시장을 끌어올렸다. 2027년에는 1조 9,000억 달...

By Chase Na - Semiconductor Design Engineer
ReRAM 완전 해부: 산화물 필라멘트로 on/off를 바꾸는 저항 변화 메모리가 임베디드 NVM 시장을 뒤흔드는 이유

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ReRAM 완전 해부: 산화물 필라멘트로 on/off를 바꾸는 저항 변화 메모리가 임베디드 NVM 시장을 뒤흔드는 이유

저항 변화 메모리(ReRAM)는 산화물 박막 내 나노 필라멘트의 형성·용해로 데이터를 저장한다. 플래시보다 빠르고 공정 친화적이며, 크로스바 어레이로 신경모방 컴퓨팅까지 넘본다. 자동차 전장과 엣지 AI로 임베디드 NVM 수요가 폭증하는 지금, ReRAM이 왜 다시 중심에 서는지 해부한다.

By Chase Na - Semiconductor Design Engineer
GaN-on-Si 전력 반도체 완전 해부: 데이터센터·EV 충전기가 실리콘을 넘어서는 이유

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GaN-on-Si 전력 반도체 완전 해부: 데이터센터·EV 충전기가 실리콘을 넘어서는 이유

AI 서버 PSU와 EV 충전기의 효율 압박이 GaN-on-Si를 Si MOSFET 대안으로 부상시키고 있다. 2DEG 채널 이동도와 높은 임계 전계는 명백한 물성 우위지만, normally-off 구현과 current collapse라는 공정 난제가 양산 수율을 제약한다. 기술 원리부터 공급사별 전략, 한국 기업 포지셔닝까지 한 번에 짚는다.

By Chase Na - Semiconductor Design Engineer
Nanoimprint Lithography란? Canon·Kioxia가 EUV 비용 곡선 밖에서 찾은 패터닝의 다른 길

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Nanoimprint Lithography란? Canon·Kioxia가 EUV 비용 곡선 밖에서 찾은 패터닝의 다른 길

양산 출하를 시작한 Canon FPA-1200NZ2C와 Kioxia 3D NAND 적용 발표. EUV 비용 곡선 밖에서 single exposure 14nm half-pitch를 달성하는 nanoimprint lithography의 동작 원리부터 defect·throughput·template·overlay라는 네 가지 양산 장벽, 그리고 한국 메모리 업체에 미치는 의미까지 정리한다.

By Chase Na - Semiconductor Design Engineer
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