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현직 반도체 엔지니어가 오늘 읽은 뉴스 요약: 삼성전자가 2026년 2분기 매출 171조원, 영업이익 89.4조원의 잠정 가이던스를 냈다. 전년 2분기 영업이익 4.68조원에서 19배 수준으로 뛴 숫자라서 오늘의 1번 신호는 메모리 가격이다. HBM은 더 얇고 더 높은 적층으로 가는 속도가 생각보다 직선적이지 않다. 하이브리드 본딩 지연, PC 업체의 중국 메모리
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현직 반도체 엔지니어가 오늘 읽은 뉴스 요약: 오늘 반도체 뉴스의 중심은 메모리 공급 확장과 패키징 병목입니다. 마이크론은 히로시마 DRAM 팹 확장에 1.5조 엔을 투입하고, 삼성전자와 SK하이닉스는 HBM 본딩과 장비 공급망에서 선택지를 다시 계산하고 있습니다. 숫자는 커졌지만 병목은 더 작아졌습니다. 1감마 DRAM, 16단 HBM4E, 14A2 전력망, 510x515mm 패널 레벨 패키징처럼
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정부의 반도체 투자와 인재 양성 신호를 VLSI Korea 성장 퍼널로 바꾸는 커리어 로드맵입니다. RTL, DV, STA, PD, DFT, AMS, EDA 트랙별로 입문자가 만들어야 할 증거를 정리했습니다.
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Rowhammer는 해킹 기법 이전에 DRAM scaling이 만든 물리적 integrity 문제다. 반도체 엔지니어 관점에서 cell, row activation, TRR, ECC, DDR5 mitigation 한계를 정리한다.
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Intel XBM은 아직 공식 제품명으로 확인된 항목이 아니다. 하지만 Intel의 패키지 DRAM 세분 접근 특허와 Foveros 방향을 같이 보면, HBM 이후 메모리 병목이 어디로 이동하는지 읽을 수 있다.
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CAMM2는 단순히 얇은 노트북 메모리 폼팩터가 아니다. DDR5와 LPDDR5X를 모듈로 만들면서도 보드 배선, 접촉 저항, 열, SPD, 검증 책임을 다시 배분하는 표준이다.
