Founder of VLSI Korea. Staff Engineer at Synopsys — STA and physical-design methodology for advanced-node tape-outs. EE BS·MS · MBA. Writes from Seoul.
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A practicing semiconductor engineer's daily read on global silicon news: The first week of May 2026 in semiconductors is defined by memory swallowing everything: Microsoft carved out $25B of its $190B 2026 capex specifically for memory and component price hikes, while Apple's Tim Cook explicitly guided
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현직 반도체 엔지니어가 오늘 읽은 뉴스 요약: 2026년 5월 첫째 주 반도체 산업의 키워드는 "메모리가 모든 것을 빨아들인다"이다. Microsoft는 2026년 capex $190B 중 무려 $25B을 메모리·부품 가격 상승분으로 별도 책정했고, Apple Q2 실적 콜에서는 Tim Cook이 6월 분기 "상당한 메모리 비용 증가"를 명시적으로
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한국 반도체 설계 직군이 챙겨야 할 이번 주 + 향후 90일의 채용·행사·교육 일정. 삼성/하이닉스/팹리스/디자인하우스 채용 시즌 + SNUG/CadenceLIVE/Samsung Foundry Forum/ARM Tech Symposia 등.
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HBM3E가 양산 한복판인데 JEDEC은 이미 HBM4 표준을 풀었다. I/O 폭이 두 배인 2048비트, 스택당 1.6-2.0 TB/s, 그리고 베이스 다이를 TSMC가 찍는다는 새 게임 룰 — 메모리 3사 경쟁 구도와 한국 산업에 어떤 의미인지 정리한다.
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ASML이 한 대에 약 3억 8천만 달러를 받는 EXE:5000이 Intel 오레곤 팹에 들어간 지 2년이 지났습니다. 0.55 NA는 단순히 '더 작게 그린다'가 아니라, 광학·마스크·레지스트·필드 크기·비용 구조가 전부 한 단계 위로 넘어가는 변곡점입니다. 1.4nm 노드 진입을 결정짓는 이 도구의 실체와, 누가 언제 어떻게 쓸 것인가를 정리합니다.
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GAA 나노시트가 2nm를 떠받치고 있다면, 그 다음 노드(A14·A10·1nm)를 떠받칠 후보는 CFET(Complementary FET)다. NMOS와 PMOS를 수평이 아니라 위·아래로 쌓아 표준 셀 높이를 4T 이하로 끌어내리려는 시도. 그러나 monolithic과 sequential 두 갈래 모두에 열·콘택·EDA의 난제가 누적된다. imec·Intel·TSMC·삼성의 현재 위치, 그리고 한국 시각에서 봐야 할 watch points를 정리한다.
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HBM4 16-Hi, TSMC SoIC, 300단 이상 3D NAND. 2026년 반도체 적층 패키징의 분기점 위에 같은 기반 기술이 자리잡고 있다. 마이크로 범프를 없애고 구리(Cu)와 절연막(SiO2)을 직접 접합하는 하이브리드 본딩 — 1μm 미만 피치, 더 낮은 기생 성분, 더 짧은 열 경로를 약속하지만 공정 윈도우는 매우 좁다. 기술의 실체와 trade-off, 누가 잘 하고 있고 한국이 어디에 서 있는지 정리한다.
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A practicing semiconductor engineer's daily read on global silicon news: The signals from the first week of May add up to one line: the memory supercycle just got extended by another year. SemiAnalysis sees NVIDIA SOCAMM pricing reaching $13/GB by year-end while TSMC defers High-NA EUV to
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현직 반도체 엔지니어가 오늘 읽은 뉴스 요약: 5월 첫 주에 흘러나온 신호를 모으면 한 줄 요약은 '메모리 슈퍼사이클이 한 해 더 연장됐다'다. SemiAnalysis는 엔비디아 SOCAMM 단가가 연말 $13/GB까지 갈 수 있다고 봤고, TSMC는 High-NA EUV를 A13(2029년) 노드까지 보류하면서 ASML 1Q26 매출의 45%가 한국 메모리(
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2nm 이하에서 신호선과 전원선이 같은 BEOL 자원을 두고 충돌하는 문제는 더 이상 metal stack을 늘려 풀 수 없는 단계에 도달했습니다. BSPDN(Backside Power Delivery Network)은 웨이퍼를 뒤집어 뒷면에 전원망을 따로 형성해 IR drop·셀 밀도·동작 주파수를 동시에 개선하는 구조적 해법입니다. Intel·TSMC·Samsung이 서로 다른 일정과 구현으로 베팅하고 있는 이유를 정리합니다.
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A practicing semiconductor engineer's daily read on global silicon news: Today's digest tracks two threads: the memory supercycle paradox where Samsung's 1Q26 call flagged conventional DRAM margins overtaking annually-locked HBM — feeding directly into Korea's record +174% YoY April chip exports — and the
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현직 반도체 엔지니어가 오늘 읽은 뉴스 요약: 오늘 디제스트는 두 개의 큰 흐름을 따라간다. 첫째, 메모리 슈퍼사이클의 역설 — 삼성 1Q26 컨퍼런스콜에서 컨벤셔널 DRAM 마진이 연단위 계약에 묶인 HBM을 넘어섰다는 발언이 나왔고, 그 결과가 한국 4월 반도체 수출 +174% YoY 단월 사상최대로 직결됐다. 둘째, 정책·지정학의 동시 가속 — EU는 Chips Act