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GDDR7이란? PAM-3 시그널링으로 32-36Gbps를 노리는 AI·GPU 메모리의 다음 카드

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GDDR7이란? PAM-3 시그널링으로 32-36Gbps를 노리는 AI·GPU 메모리의 다음 카드

AI 시대 메모리는 HBM 만이 아니다. 컨슈머 GPU·AI 인퍼런스·오토모티브 — HBM 의 가격과 패키지 복잡도를 감당할 수 없는 시장이 GDDR7 로 빠르게 갈아탄다. PAM-3 시그널링으로 핀당 32-36 Gbps 를 달성하는 GDDR7 의 구조와 trade-off, 삼성·SK하이닉스·마이크론 3사 구도, 그리고 한국 메모리 산업에 미치는 영향을 정리한다.

By Chase Na - Semiconductor Design Engineer
CoWoS-L이란? RDL 인터포저에 LSI 브릿지를 박은 5+ 레티클 AI 가속기 패키지

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CoWoS-L이란? RDL 인터포저에 LSI 브릿지를 박은 5+ 레티클 AI 가속기 패키지

엔비디아 B200·GB200, 그리고 다음 세대 가속기는 모두 한 가지에 묶여 있다 — CoWoS-L 이라는 TSMC 의 하이브리드 인터포저. RDL 위에 LSI 실리콘 브릿지를 박아 5~6 레티클 면적의 패키지를 yield 있게 만드는 이 기술이 왜 AI 인프라의 진짜 병목인지, 누가 따라잡을 수 있는지, 한국은 어디에 서 있는지를 정리한다.

By Chase Na - Semiconductor Design Engineer
3D DRAM이란? DRAM 미세화 한계를 넘는 수직 채널·셀 어레이 적층

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3D DRAM이란? DRAM 미세화 한계를 넘는 수직 채널·셀 어레이 적층

DRAM이 평면 미세화의 한계에 도달하면서 셀 트랜지스터를 수직으로 세우고 셀 어레이를 적층하는 3D DRAM이 다음 노드의 핵심으로 떠오른다. 4F² VCAT, 페리 분리 하이브리드 본딩, 셀 어레이 적층까지 단계별 로드맵과 한국 메모리에 미치는 구조적 영향을 정리한다.

By Chase Na - Semiconductor Design Engineer
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