Chase Na - Semiconductor Design Engineer

Founder of VLSI Korea. Staff Engineer at Synopsys — STA and physical-design methodology for advanced-node tape-outs. EE BS·MS · MBA. Writes from Seoul.

South Korea
Chase Na - Semiconductor Design Engineer
ReRAM 완전 해부: 산화물 필라멘트로 on/off를 바꾸는 저항 변화 메모리가 임베디드 NVM 시장을 뒤흔드는 이유

pillar

ReRAM 완전 해부: 산화물 필라멘트로 on/off를 바꾸는 저항 변화 메모리가 임베디드 NVM 시장을 뒤흔드는 이유

저항 변화 메모리(ReRAM)는 산화물 박막 내 나노 필라멘트의 형성·용해로 데이터를 저장한다. 플래시보다 빠르고 공정 친화적이며, 크로스바 어레이로 신경모방 컴퓨팅까지 넘본다. 자동차 전장과 엣지 AI로 임베디드 NVM 수요가 폭증하는 지금, ReRAM이 왜 다시 중심에 서는지 해부한다.

By Chase Na - Semiconductor Design Engineer
GaN-on-Si 전력 반도체 완전 해부: 데이터센터·EV 충전기가 실리콘을 넘어서는 이유

pillar

GaN-on-Si 전력 반도체 완전 해부: 데이터센터·EV 충전기가 실리콘을 넘어서는 이유

AI 서버 PSU와 EV 충전기의 효율 압박이 GaN-on-Si를 Si MOSFET 대안으로 부상시키고 있다. 2DEG 채널 이동도와 높은 임계 전계는 명백한 물성 우위지만, normally-off 구현과 current collapse라는 공정 난제가 양산 수율을 제약한다. 기술 원리부터 공급사별 전략, 한국 기업 포지셔닝까지 한 번에 짚는다.

By Chase Na - Semiconductor Design Engineer
Nanoimprint Lithography란? Canon·Kioxia가 EUV 비용 곡선 밖에서 찾은 패터닝의 다른 길

pillar

Nanoimprint Lithography란? Canon·Kioxia가 EUV 비용 곡선 밖에서 찾은 패터닝의 다른 길

양산 출하를 시작한 Canon FPA-1200NZ2C와 Kioxia 3D NAND 적용 발표. EUV 비용 곡선 밖에서 single exposure 14nm half-pitch를 달성하는 nanoimprint lithography의 동작 원리부터 defect·throughput·template·overlay라는 네 가지 양산 장벽, 그리고 한국 메모리 업체에 미치는 의미까지 정리한다.

By Chase Na - Semiconductor Design Engineer
VLSI Korea Free forever · No paywall · Weekly semiconductor insights from practicing engineers
MY VLSI

내 읽기 보관함

저장한 글과 읽던 글을 한곳에서 이어보세요.