Chase Na - Semiconductor Design Engineer

Founder of VLSI Korea. Staff Engineer at Synopsys — STA and physical-design methodology for advanced-node tape-outs. EE BS·MS · MBA. Writes from Seoul.

South Korea
Chase Na - Semiconductor Design Engineer
LPDDR6란? 14.4Gbps·24-bit sub-channel로 on-device AI 시대를 받치는 모바일 메모리의 다음 세대

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LPDDR6란? 14.4Gbps·24-bit sub-channel로 on-device AI 시대를 받치는 모바일 메모리의 다음 세대

on-device LLM 추론이 표준이 되면서 NPU 활용률을 좌우하는 것은 결국 메모리 대역폭이다. LPDDR6는 24-bit sub-channel과 핀당 14.4Gbps로 LPDDR5X의 한계를 다음 단계로 밀어내는 JEDEC 표준이다. Samsung·SK Hynix·Micron이 모두 양산을 준비 중이고, LPCAMM2를 통해 PC 시장까지 확대된다. 표준 구조, 양산 난이도, Korea 시각, 향후 12개월 milestone을 정리한다.

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MRDIMM이란? DDR5의 대역폭 한계를 다중 rank mux로 넘는 AI 서버 메모리의 backbone

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MRDIMM이란? DDR5의 대역폭 한계를 다중 rank mux로 넘는 AI 서버 메모리의 backbone

CPU 코어 수는 빠르게 늘지만 DDR5 채널당 대역폭은 그보다 느리게 성장한다. MRDIMM은 RCD와 데이터 버퍼(DB)에 mux 회로를 더해 두 rank를 host 입장에서 하나의 더 빠른 sub-channel로 묶는 JEDEC 표준이다. Intel Granite Rapids가 첫 적극 채택 플랫폼이고, 한국 메모리 3사 모두 양산 라인업에 올리고 있다. 이 글은 MRDIMM의 동작 원리, DB IC의 mux 회로 난점, latency·열·가격의 trade-off, 그리고 한국 메모리 산업이 mix 측면에서 얻는 것이 무엇인지

By Chase Na - Semiconductor Design Engineer
TSV란? HBM과 3D 적층의 정맥, hybrid bonding 시대에도 사라지지 않는 backbone

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TSV란? HBM과 3D 적층의 정맥, hybrid bonding 시대에도 사라지지 않는 backbone

HBM의 정중앙을 수직으로 관통하는 수천 개의 구리 기둥, TSV는 12단·16단 적층이 표준이 된 지금 HBM이라는 부품이 존재할 수 있는 물리적 조건입니다. hybrid bonding이 TSV를 대체한다는 표현이 자주 등장하지만, 두 기술은 같은 stack 위에서 공존합니다. 이 글은 TSV의 공정 원리, KOZ·yield 트레이드오프, 그리고 한국 메모리 산업의 구조적 우위를 분석합니다.

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Metal Oxide Resist란? High-NA EUV의 stochastic defect를 깨는 차세대 photoresist의 backbone

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Metal Oxide Resist란? High-NA EUV의 stochastic defect를 깨는 차세대 photoresist의 backbone

High-NA EUV 시대의 첫 병목은 장비가 아니라 photoresist다. Stochastic defect를 풀기 위해 도입되는 Metal Oxide Resist(MOR) — Inpria의 organotin cluster를 중심으로 한 차세대 EUV 레지스트의 동작 원리, RLS triangle, 양산 트레이드오프, 그리고 한국 소부장의 진입 가능성을 정리한다.

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