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FOPLP(Fan-Out Panel-Level Packaging)란? CoWoS 다음, AI 패키지의 패널 레벨 시대
AI 가속기 패키지가 reticle 4~5배 면적까지 커지면서 300mm 웨이퍼는 더 이상 효율적인 캔버스가 아니다. 사각 패널에 KGD를 재배치하고 RDL을 그리는 FOPLP가 그래서 다시 떠오른다. 단, 패널 휨·RDL 정밀도·장비 생태계라는 세 벽을 넘어야 한다.
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Daily Silicon: AI 분석가 컨센서스 줄상향 vs TSMC 4월 둔화·애플-인텔 잠정 합의
TL;DR — TSMC가 5월 8일 발표한 4월 월간 매출은 NT$410.73B(약 $13.05B)로 YoY +17.5%, MoM -1.1%. 작년 10월 이후 가장 느린 월간 성장률로, AI 빌드아웃 모멘텀에도 불구하고 캐파 천장 신호가 시작. 출처: 2. Intel share...
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CoWoS-L이란? RDL 인터포저에 LSI 브릿지를 박은 5+ 레티클 AI 가속기 패키지
엔비디아 B200·GB200, 그리고 다음 세대 가속기는 모두 한 가지에 묶여 있다 — CoWoS-L 이라는 TSMC 의 하이브리드 인터포저. RDL 위에 LSI 실리콘 브릿지를 박아 5~6 레티클 면적의 패키지를 yield 있게 만드는 이 기술이 왜 AI 인프라의 진짜 병목인지, 누가 따라잡을 수 있는지, 한국은 어디에 서 있는지를 정리한다.
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Daily Silicon: 엔비디아만 정체, 메모리·ARM·ASIC가 끄는 5월 첫째 주
TL;DR — 5월 7일 SK증권은 SK하이닉스 목표주가를 200만원에서 300만원으로, 삼성전자는 40만원에서 50만원으로 동시 상향. 같은 날 미래에셋증권도 SK하이닉스 200만원에서 270만원으로 35% 끌어올림. 한국 증권가가 메모리 밸류에이션을 P/B에서 P/E 모델로 공...
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3D DRAM이란? DRAM 미세화 한계를 넘는 수직 채널·셀 어레이 적층
DRAM이 평면 미세화의 한계에 도달하면서 셀 트랜지스터를 수직으로 세우고 셀 어레이를 적층하는 3D DRAM이 다음 노드의 핵심으로 떠오른다. 4F² VCAT, 페리 분리 하이브리드 본딩, 셀 어레이 적층까지 단계별 로드맵과 한국 메모리에 미치는 구조적 영향을 정리한다.
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삼성·SK하이닉스·외국계·팹리스·디자인서비스 — 5 가지 회사 type 의 입사·근무·성장 비교
메모리 IDM·외국계·팹리스·디자인서비스·자동차/중견 5 type 의 채용·근무·성장 매트릭스. 회사 단위 비교는 type 안에서 의미 있어진다.
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입사 path 5가지 — 공채·인턴·중고신입·부트캠프·해외 우회의 시간·비용·합격률 매트릭스
공채·인턴 전환·중고신입·부트캠프·해외 우회 5 path 의 시간·비용·합격률·이후 커리어를 4 축 매트릭스로 비교. 카톡 13,000+ 메시지 분석에서 출발한 취준생 시리즈 1편.
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Daily Silicon: Samsung $1T·KOSPI 7,400·SpaceX Terafab — 5월 6일이 다 바꿨다
TL;DR — 5월 6일 Samsung Electronics shares가 historic rally로 $1 trillion valuation 첫 돌파. AI memory 수요 급증이 엔진. TSMC 이어 Asia 두 번째 $1 trillion club 진입. 출처: 2. KOS...
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GAA 나노시트(Nanosheet)란? FinFET 다음, 3nm·2nm를 떠받치는 실리콘 시트 트랜지스터
FinFET이 5nm에서 한계에 부딪힌 뒤, 3nm 이하 leading-edge 노드는 모두 GAA 나노시트로 갈아탔다. 채널을 핀에서 가로로 쌓은 얇은 시트로 바꾸는 이 변화는 단순히 'fin을 눕힌 것' 이상의 의미를 갖는다. 시트 너비를 디자인하면서 driving force와 leakage를 동시에 통제할 수 있게 된 이 구조의 동작 원리, 공정 난이도, 그리고 Samsung·TSMC·Intel의 노선 차이를 정리한다.
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PIM(Processing-in-Memory)이란? HBM 다음을 노리는 메모리 안의 연산 엔진
GPU 옆에 HBM을 12-Hi, 16-Hi로 쌓아올려도 결국 데이터는 좁은 통로를 왕복해야 한다. PIM(Processing-in-Memory)은 메모리 셀에서 읽은 데이터를 바깥으로 내보내지 않고 그 자리에서 계산해 'memory wall'을 우회한다. Samsung HBM-PIM, SK Hynix AiM의 구조부터 SW 스택의 약한 고리, JEDEC 표준화 동향까지 정리했다.
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포크시트 FET(Forksheet FET)란? GAA와 CFET 사이, A14 시대 SRAM 스케일링의 카드
AI 가속기 die의 30~40%를 차지하는 SRAM이 N3·N2에서도 거의 줄지 않는 정체. CFET이 양산되기 전 그 사이를 메우는 카드가 Forksheet FET이다. N과 P 사이에 수직 절연벽을 세워 셀 높이를 약 20% 압축하는 imec발 구조 변형의 동작 원리, 공정 난이도, TSMC·Samsung·Intel의 도입 전망, 그리고 한국 파운드리·EDA 생태계에 미칠 영향을 정리한다.
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224G PAM-4 SerDes란? 1.6T 이더넷·차세대 AI 인프라의 IO 병목
1.6T 이더넷, NVLink 5, CPO, UCIe 외부 IO까지 — 차세대 AI 인프라의 채널당 데이터레이트가 224Gb/s로 빠르게 이동하고 있다. PAM-4 변조와 56GHz Nyquist, 그리고 DSP·FEC가 결합된 224G SerDes의 동작 원리, 어려움, 주요 IP 플레이어, 그리고 한국 반도체 생태계가 받는 영향까지 정리한다.