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CXL 3.0이란? AI 시대 메모리 풀링과 fabric의 새 표준

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CXL 3.0이란? AI 시대 메모리 풀링과 fabric의 새 표준

CXL 3.0은 PCIe 6.0 PHY 위에서 64GT/s 대역폭과 fabric 토폴로지, 메모리 sharing·pooling을 지원하는 차세대 캐시-코히어런트 인터커넥트입니다. AI 서버의 메모리 병목과 디스어그리게이션을 가능하게 만들지만, latency budget·스위치 silicon 복잡도·OS 지원이 모두 만만치 않습니다. 기술의 실체와 누가 잘하고 있는지, 한국 메모리에 어떤 의미인지 정리합니다.

By Chase Na - Semiconductor Design Engineer
글래스 코어 기판(Glass Substrate)이란? AI 가속기 패키지의 다음 substrate 후보

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글래스 코어 기판(Glass Substrate)이란? AI 가속기 패키지의 다음 substrate 후보

CoWoS-L이 8x reticle 패키지를 만들면서 organic substrate의 워페이지·신호 손실·면적 한계가 드러나고 있다. 글래스 코어 기판은 silicon에 가까운 CTE, 낮은 dielectric loss, 우수한 평탄도로 다음 substrate 후보로 거론된다. Intel은 2030년, Samsung·SKC/Absolics는 2026-2028년 양산 진입을 목표로 한다. TGV 형성, RDL adhesion, 패널 라인 인프라가 핵심 트레이드오프다.

By Chase Na - Semiconductor Design Engineer
CPO(Co-packaged Optics)란? 스위치·GPU 옆까지 들어오는 광 IO의 구조와 trade-off

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CPO(Co-packaged Optics)란? 스위치·GPU 옆까지 들어오는 광 IO의 구조와 trade-off

AI 클러스터의 백본 스위치 IO가 ASIC보다 더 많은 전력을 먹는 시대가 됐습니다. CPO(Co-packaged Optics)는 그 한계를 우회하기 위해 광 엔진을 패키지 안으로 끌어들이는 카드입니다. NVIDIA·Broadcom·TSMC·Marvell이 동시에 양산을 밀고 있지만 thermal, 서비스성, fiber 정렬, EDA 도구까지 풀어야 할 숙제가 입체적으로 쌓여 있습니다. 이 글은 CPO의 실체와 trade-off, 그리고 한국 반도체 입장에서의 함의를 정리합니다.

By Chase Na - Semiconductor Design Engineer
UCIe란? 칩렛 시대를 잇는 die-to-die 표준의 구조와 trade-off

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UCIe란? 칩렛 시대를 잇는 die-to-die 표준의 구조와 trade-off

AI 가속기들이 reticle limit에 도달하면서 칩렛은 선택이 아닌 필수가 됐다. 그런데 다이와 다이를 연결하는 표준이 없으면 외부 칩렛 생태계는 작동하지 않는다. 2022년 출범한 UCIe는 그 빈자리를 메우기 위한 개방형 die-to-die 표준이다. Standard vs Advanced 패키지의 trade-off, 32 GT/s 신호 무결성의 한계, 멀티벤더 interop이 아직 풀리지 않은 이유, 그리고 한국이 칩렛 시대에 가진 강점과 약점을 짚는다.

By Chase Na - Semiconductor Design Engineer
High-NA EUV(0.55 NA)란? 1.4nm 시대를 여는 ASML EXE:5000의 진짜 트레이드오프

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High-NA EUV(0.55 NA)란? 1.4nm 시대를 여는 ASML EXE:5000의 진짜 트레이드오프

ASML이 한 대에 약 3억 8천만 달러를 받는 EXE:5000이 Intel 오레곤 팹에 들어간 지 2년이 지났습니다. 0.55 NA는 단순히 '더 작게 그린다'가 아니라, 광학·마스크·레지스트·필드 크기·비용 구조가 전부 한 단계 위로 넘어가는 변곡점입니다. 1.4nm 노드 진입을 결정짓는 이 도구의 실체와, 누가 언제 어떻게 쓸 것인가를 정리합니다.

By Chase Na - Semiconductor Design Engineer
CFET(Complementary FET)란? GAA 다음 트랜지스터, 1nm 시대의 핵심

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CFET(Complementary FET)란? GAA 다음 트랜지스터, 1nm 시대의 핵심

GAA 나노시트가 2nm를 떠받치고 있다면, 그 다음 노드(A14·A10·1nm)를 떠받칠 후보는 CFET(Complementary FET)다. NMOS와 PMOS를 수평이 아니라 위·아래로 쌓아 표준 셀 높이를 4T 이하로 끌어내리려는 시도. 그러나 monolithic과 sequential 두 갈래 모두에 열·콘택·EDA의 난제가 누적된다. imec·Intel·TSMC·삼성의 현재 위치, 그리고 한국 시각에서 봐야 할 watch points를 정리한다.

By Chase Na - Semiconductor Design Engineer
하이브리드 본딩(Hybrid Bonding)이란? HBM4·TSMC SoIC·3D NAND를 떠받치는 Cu-Cu 직접 접합

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하이브리드 본딩(Hybrid Bonding)이란? HBM4·TSMC SoIC·3D NAND를 떠받치는 Cu-Cu 직접 접합

HBM4 16-Hi, TSMC SoIC, 300단 이상 3D NAND. 2026년 반도체 적층 패키징의 분기점 위에 같은 기반 기술이 자리잡고 있다. 마이크로 범프를 없애고 구리(Cu)와 절연막(SiO2)을 직접 접합하는 하이브리드 본딩 — 1μm 미만 피치, 더 낮은 기생 성분, 더 짧은 열 경로를 약속하지만 공정 윈도우는 매우 좁다. 기술의 실체와 trade-off, 누가 잘 하고 있고 한국이 어디에 서 있는지 정리한다.

By Chase Na - Semiconductor Design Engineer
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