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GaN-on-Si 전력 반도체 완전 해부: 데이터센터·EV 충전기가 실리콘을 넘어서는 이유

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GaN-on-Si 전력 반도체 완전 해부: 데이터센터·EV 충전기가 실리콘을 넘어서는 이유

AI 서버 PSU와 EV 충전기의 효율 압박이 GaN-on-Si를 Si MOSFET 대안으로 부상시키고 있다. 2DEG 채널 이동도와 높은 임계 전계는 명백한 물성 우위지만, normally-off 구현과 current collapse라는 공정 난제가 양산 수율을 제약한다. 기술 원리부터 공급사별 전략, 한국 기업 포지셔닝까지 한 번에 짚는다.

By Chase Na - Semiconductor Design Engineer
Nanoimprint Lithography란? Canon·Kioxia가 EUV 비용 곡선 밖에서 찾은 패터닝의 다른 길

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Nanoimprint Lithography란? Canon·Kioxia가 EUV 비용 곡선 밖에서 찾은 패터닝의 다른 길

양산 출하를 시작한 Canon FPA-1200NZ2C와 Kioxia 3D NAND 적용 발표. EUV 비용 곡선 밖에서 single exposure 14nm half-pitch를 달성하는 nanoimprint lithography의 동작 원리부터 defect·throughput·template·overlay라는 네 가지 양산 장벽, 그리고 한국 메모리 업체에 미치는 의미까지 정리한다.

By Chase Na - Semiconductor Design Engineer
LPDDR6란? 14.4Gbps·24-bit sub-channel로 on-device AI 시대를 받치는 모바일 메모리의 다음 세대

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LPDDR6란? 14.4Gbps·24-bit sub-channel로 on-device AI 시대를 받치는 모바일 메모리의 다음 세대

on-device LLM 추론이 표준이 되면서 NPU 활용률을 좌우하는 것은 결국 메모리 대역폭이다. LPDDR6는 24-bit sub-channel과 핀당 14.4Gbps로 LPDDR5X의 한계를 다음 단계로 밀어내는 JEDEC 표준이다. Samsung·SK Hynix·Micron이 모두 양산을 준비 중이고, LPCAMM2를 통해 PC 시장까지 확대된다. 표준 구조, 양산 난이도, Korea 시각, 향후 12개월 milestone을 정리한다.

By Chase Na - Semiconductor Design Engineer
MRDIMM이란? DDR5의 대역폭 한계를 다중 rank mux로 넘는 AI 서버 메모리의 backbone

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MRDIMM이란? DDR5의 대역폭 한계를 다중 rank mux로 넘는 AI 서버 메모리의 backbone

CPU 코어 수는 빠르게 늘지만 DDR5 채널당 대역폭은 그보다 느리게 성장한다. MRDIMM은 RCD와 데이터 버퍼(DB)에 mux 회로를 더해 두 rank를 host 입장에서 하나의 더 빠른 sub-channel로 묶는 JEDEC 표준이다. Intel Granite Rapids가 첫 적극 채택 플랫폼이고, 한국 메모리 3사 모두 양산 라인업에 올리고 있다. 이 글은 MRDIMM의 동작 원리, DB IC의 mux 회로 난점, latency·열·가격의 trade-off, 그리고 한국 메모리 산업이 mix 측면에서 얻는 것이 무엇인지

By Chase Na - Semiconductor Design Engineer
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