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CFET(Complementary FET)란? GAA 다음 트랜지스터, 1nm 시대의 핵심
GAA 나노시트가 2nm를 떠받치고 있다면, 그 다음 노드(A14·A10·1nm)를 떠받칠 후보는 CFET(Complementary FET)다. NMOS와 PMOS를 수평이 아니라 위·아래로 쌓아 표준 셀 높이를 4T 이하로 끌어내리려는 시도. 그러나 monolithic과 sequential 두 갈래 모두에 열·콘택·EDA의 난제가 누적된다. imec·Intel·TSMC·삼성의 현재 위치, 그리고 한국 시각에서 봐야 할 watch points를 정리한다.