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CFET(Complementary FET)란? GAA 다음 트랜지스터, 1nm 시대의 핵심

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CFET(Complementary FET)란? GAA 다음 트랜지스터, 1nm 시대의 핵심

GAA 나노시트가 2nm를 떠받치고 있다면, 그 다음 노드(A14·A10·1nm)를 떠받칠 후보는 CFET(Complementary FET)다. NMOS와 PMOS를 수평이 아니라 위·아래로 쌓아 표준 셀 높이를 4T 이하로 끌어내리려는 시도. 그러나 monolithic과 sequential 두 갈래 모두에 열·콘택·EDA의 난제가 누적된다. imec·Intel·TSMC·삼성의 현재 위치, 그리고 한국 시각에서 봐야 할 watch points를 정리한다.

By Chase Na - Semiconductor Design Engineer
하이브리드 본딩(Hybrid Bonding)이란? HBM4·TSMC SoIC·3D NAND를 떠받치는 Cu-Cu 직접 접합

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하이브리드 본딩(Hybrid Bonding)이란? HBM4·TSMC SoIC·3D NAND를 떠받치는 Cu-Cu 직접 접합

HBM4 16-Hi, TSMC SoIC, 300단 이상 3D NAND. 2026년 반도체 적층 패키징의 분기점 위에 같은 기반 기술이 자리잡고 있다. 마이크로 범프를 없애고 구리(Cu)와 절연막(SiO2)을 직접 접합하는 하이브리드 본딩 — 1μm 미만 피치, 더 낮은 기생 성분, 더 짧은 열 경로를 약속하지만 공정 윈도우는 매우 좁다. 기술의 실체와 trade-off, 누가 잘 하고 있고 한국이 어디에 서 있는지 정리한다.

By Chase Na - Semiconductor Design Engineer
BSPDN(후면 전원 공급)이란? Intel 18A·TSMC A16이 베팅한 핵심 기술

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BSPDN(후면 전원 공급)이란? Intel 18A·TSMC A16이 베팅한 핵심 기술

2nm 이하에서 신호선과 전원선이 같은 BEOL 자원을 두고 충돌하는 문제는 더 이상 metal stack을 늘려 풀 수 없는 단계에 도달했습니다. BSPDN(Backside Power Delivery Network)은 웨이퍼를 뒤집어 뒷면에 전원망을 따로 형성해 IR drop·셀 밀도·동작 주파수를 동시에 개선하는 구조적 해법입니다. Intel·TSMC·Samsung이 서로 다른 일정과 구현으로 베팅하고 있는 이유를 정리합니다.

By Chase Na - Semiconductor Design Engineer
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