Chase Na - Semiconductor Design Engineer

Founder of VLSI Korea. Staff Engineer at Synopsys — STA and physical-design methodology for advanced-node tape-outs. EE BS·MS · MBA. Writes from Seoul.

South Korea
Chase Na - Semiconductor Design Engineer
Daily Silicon: 삼성전자 2nm와 DRAM 20%: AI 반도체 가격 재편

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Daily Silicon: 삼성전자 2nm와 DRAM 20%: AI 반도체 가격 재편

현직 반도체 엔지니어가 오늘 읽은 뉴스 요약: 오늘 반도체 뉴스의 축은 삼성전자입니다. Anthropic의 커스텀 AI칩 후보로 삼성 2nm와 첨단 패키징이 거론됐고, 같은 날 삼성 DRAM 3분기 ASP 인상 폭은 최대 20%로 보도됐습니다. AI 반도체 병목은 GPU 한 장의 성능보다 파운드리, 메모리, 기판 소재, NAND 전력효율로 이동하고 있습니다. 가격을 올릴

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Daily Silicon: 삼성 HBM4E 70%, 마이크론 DRAM 가격 신호

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Daily Silicon: 삼성 HBM4E 70%, 마이크론 DRAM 가격 신호

현직 반도체 엔지니어가 오늘 읽은 뉴스 요약: 오늘 리드는 실적 발표가 아니라 메모리 계약 구조와 수율입니다. 삼성 HBM4E는 70% 이상 신뢰성 수율을 보였고, SK hynix는 Cheongju에 KRW 100T 투자를 제시했습니다. 마이크론 이후 DRAM 가격 사이클은 단순 spot 반등이 아니라 장기 계약의 가격 상한 문제로 옮겨가고 있습니다. TSMC 2nm와 Samsung 2nm

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Daily Silicon: DRAM 36달러와 ASIC: 삼성 MLCC, OSAT 병목

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Daily Silicon: DRAM 36달러와 ASIC: 삼성 MLCC, OSAT 병목

현직 반도체 엔지니어가 오늘 읽은 뉴스 요약: 오늘 반도체 뉴스의 중심은 메모리 가격 그 자체보다 가격이 번지는 위치다. DDR4 1Gx8 3200MT/s spot은 US$36.00까지 올랐고, NAND 512Gb TLC wafer는 US$19.862로 내려갔다. 같은 AI 수요 안에서도 DRAM, NAND, MLCC, OSAT가 다른 방향으로 움직인다. P0 공식 실적은 최근

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Daily Silicon: HBM 장비 520억달러: Samsung TSMC 1.4nm 압력

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Daily Silicon: HBM 장비 520억달러: Samsung TSMC 1.4nm 압력

현직 반도체 엔지니어가 오늘 읽은 뉴스 요약: 오늘 리드는 실적이 아니라 CAPEX다. SEMI는 2026년 300mm 메모리 장비 투자가 처음으로 520억 달러를 넘고, 2027년에는 570억 달러까지 간다고 봤다. 같은 날 Samsung과 SK hynix의 800조원 투자, Samsung 1.4nm 재시동, AI ASIC 확산 뉴스가 한 방향을 가리킨다. 병목은 GPU 한 종목이 아니라

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Daily Silicon: 마이크론 DRAM과 TSMC 2nm: 800조원 메모리 재편

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Daily Silicon: 마이크론 DRAM과 TSMC 2nm: 800조원 메모리 재편

현직 반도체 엔지니어가 오늘 읽은 뉴스 요약: 오늘의 축은 메모리 공급과 선단 파운드리 병목입니다. 한국은 삼성전자와 SK하이닉스를 묶어 800조원 규모의 메모리 투자 프레임을 제시했고, TSMC는 3nm, 5nm 가동률과 CoWoS 증설로 2분기 마진 70% 근접 전망이 나왔습니다. DRAM 가격은 AI용 HBM 전환의 부산물이 아니라 서버, PC, 레거시 제품까지 번지는 공급 재배치

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