korean
VLSI Korea 캘린더 (2026-05-04) — 채용·산업행사·반도체 교육 정리
한국 반도체 설계 직군이 챙겨야 할 이번 주 + 향후 90일의 채용·행사·교육 일정. 삼성/하이닉스/팹리스/디자인하우스 채용 시즌 + SNUG/CadenceLIVE/Samsung Foundry Forum/ARM Tech Symposia 등.
Chase Na - Semiconductor Design Engineer
Founder of VLSI Korea. Staff Engineer at Synopsys — STA and physical-design methodology for advanced-node tape-outs. EE BS·MS · MBA. Writes from Seoul.
korean
HBM4란? 2048비트 인터페이스와 커스텀 베이스 다이가 바꾸는 AI 메모리 게임
HBM3E가 양산 한복판인데 JEDEC은 이미 HBM4 표준을 풀었다. I/O 폭이 두 배인 2048비트, 스택당 1.6-2.0 TB/s, 그리고 베이스 다이를 TSMC가 찍는다는 새 게임 룰 — 메모리 3사 경쟁 구도와 한국 산업에 어떤 의미인지 정리한다.
korean
High-NA EUV(0.55 NA)란? 1.4nm 시대를 여는 ASML EXE:5000의 진짜 트레이드오프
ASML이 한 대에 약 3억 8천만 달러를 받는 EXE:5000이 Intel 오레곤 팹에 들어간 지 2년이 지났습니다. 0.55 NA는 단순히 '더 작게 그린다'가 아니라, 광학·마스크·레지스트·필드 크기·비용 구조가 전부 한 단계 위로 넘어가는 변곡점입니다. 1.4nm 노드 진입을 결정짓는 이 도구의 실체와, 누가 언제 어떻게 쓸 것인가를 정리합니다.
korean
CFET(Complementary FET)란? GAA 다음 트랜지스터, 1nm 시대의 핵심
GAA 나노시트가 2nm를 떠받치고 있다면, 그 다음 노드(A14·A10·1nm)를 떠받칠 후보는 CFET(Complementary FET)다. NMOS와 PMOS를 수평이 아니라 위·아래로 쌓아 표준 셀 높이를 4T 이하로 끌어내리려는 시도. 그러나 monolithic과 sequential 두 갈래 모두에 열·콘택·EDA의 난제가 누적된다. imec·Intel·TSMC·삼성의 현재 위치, 그리고 한국 시각에서 봐야 할 watch points를 정리한다.
korean
하이브리드 본딩(Hybrid Bonding)이란? HBM4·TSMC SoIC·3D NAND를 떠받치는 Cu-Cu 직접 접합
HBM4 16-Hi, TSMC SoIC, 300단 이상 3D NAND. 2026년 반도체 적층 패키징의 분기점 위에 같은 기반 기술이 자리잡고 있다. 마이크로 범프를 없애고 구리(Cu)와 절연막(SiO2)을 직접 접합하는 하이브리드 본딩 — 1μm 미만 피치, 더 낮은 기생 성분, 더 짧은 열 경로를 약속하지만 공정 윈도우는 매우 좁다. 기술의 실체와 trade-off, 누가 잘 하고 있고 한국이 어디에 서 있는지 정리한다.
English
Daily Silicon: HBM, ASIC, CPO All Surging — Memory Cycle Extends Another Year
TL;DR — TSMC will defer High-NA EUV (EXE:5200, ~$400m per tool) through the A13 node in 2029 and stay on Low-NA + multi-patterning. The result: 45% of ASML's...
korean
Daily Silicon: HBM·ASIC·CPO 동시 폭주 — 메모리 사이클 1년 더
TL;DR — TSMC가 2029년 A13 노드까지 High-NA EUV(EXE:5200, 대당 약 $400m) 도입을 보류하고 Low-NA + 멀티패터닝으로 끌고 가기로 결정. 그 결과 ASML 1Q26 매출의 45%가 한국 메모리(SK하이닉스·삼성)에서 발생하는 메모리 의존 구...
korean
BSPDN(후면 전원 공급)이란? Intel 18A·TSMC A16이 베팅한 핵심 기술
2nm 이하에서 신호선과 전원선이 같은 BEOL 자원을 두고 충돌하는 문제는 더 이상 metal stack을 늘려 풀 수 없는 단계에 도달했습니다. BSPDN(Backside Power Delivery Network)은 웨이퍼를 뒤집어 뒷면에 전원망을 따로 형성해 IR drop·셀 밀도·동작 주파수를 동시에 개선하는 구조적 해법입니다. Intel·TSMC·Samsung이 서로 다른 일정과 구현으로 베팅하고 있는 이유를 정리합니다.
English
Daily Silicon: DRAM Margins Top HBM, Korea April Chip Exports Surge 174%
TL;DR — Samsung's 1Q26 call officially confirmed conventional DRAM margins now exceed HBM's. HBM is locked into annual pricing while conventional DRAM renego...
korean
Daily Silicon: DRAM 마진이 HBM 추월, 4월 韓 칩 수출 174% 폭증
TL;DR — 삼성 1Q26 컨퍼런스콜에서 메모리 사업부가 '현재 컨벤셔널 DRAM 마진이 HBM 마진을 상회한다'고 공식 인정. HBM은 연단위 가격 계약에 묶여 있는 반면 컨벤셔널 DRAM은 분기마다 재협상되어 가격 점프가 즉시 반영된 결과. 마진 격차는 2027년 추론 서비스...
korean
VLSI Monthly: 2026년 5월 — 현재 AI 반도체 공급망의 병목
2026년 지난 4월을 돌아보며: From the Editor 이번 달 나는 두 헤드라인 사이에서 자주 멈춰 섰다. 'HBM이 부족하다'와 'HBM 3사가 모두 record를 찍었다' — 같은 4월에 둘 다 사실이었다. SK hynix는 3년치 HBM 주문이 capacity를...
korean
Daily Silicon: 메모리 부족 2027년에 더 깊어진다 — OpenAI 균열 vs 옴디아 +62.7%
TL;DR — 삼성 메모리 사업부장 김재준이 4월 30일 1Q26 컨퍼런스콜에서 '공급이 수요에 한참 못 미친다'고 발언하며 2027년 supply-demand gap이 2026년보다 더 벌어진다고 못 박았습니다. 일부 고객은 이미 2027년치 allocation을 선점 중이고,...